"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Нестационарные процессы двойной инжекции и рассасывания плазмы в полупроводниковой p+-n-n+-структуре
Кардо-Сысоев А.Ф.1, Попова М.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 20 декабря 1990 г.

Рассматривается нестационарный процесс двойной инжекции и рассасывания плазмы в p+-n-n+-структуре. Полная система уравнений, описывающая этот процесс, для практически интересных случаев содержит малые параметры при старших производных и относится к классу сингулярно-возмущенных уравнений. Слагаемым с малыми параметрами соответствуют пограничные слои, т. е. области резкого изменения переменных. Используя методы теории сингулярных асимптотических разложений, получены укороченные уравнения для этих областей, в том числе для диффузионных областей у p+-n- и n-n+-переходов и для дрейфовой области, лежащей между этими диффузионными областями. Численные решения показали, что на этапе протекания обратного тока возникают две волны истощения, бегущие от p+- и n+-слоев навстречу друг другу. За фронтом "медленной" волны, бегущей от p+-слоя, возникает область объемного заряда, свободная от электронов. За фронтом более быстрой волны, бегущей от n+-слоя, остается нейтральная область, свободная от неравновесных носителей. Схлопывание волн истощения происходит очень резко в области перехода между диффузионной и дрейфовой областями. После схлопывания весь объем полупроводника оказывается истощенным от неравновесных носителей. Дальнейшее протекание тока возможно только за счет выноса основных носителей (электронов), что сопровождается очень быстрым расширением области объемного заряда и резким увеличением скорости роста напряжения на структуре.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.