"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Двумерные ганновские домены в структурах с полевым электродом
Грибников З.С.1, Железняк В.Б.1
1Институт полупроводников АН УССР, Киев
Выставление онлайн: 20 декабря 1990 г.

Рассмотрены образование и движение двумерных ганновских доменов в структурах, включающих в себя легированный слой на нелегированной подложке и три электрода - исток, сток и управляющий полевой электрод (затвор типа барьера Шоттки). Использовано диффузионно-дрейфовое приближение. В этих структурах образуются статические домены на истоке, стоке, а также под затвором (со стороны стока) и существуют режимы с движением доменов, которые зарождаются под затвором и уходят в контакт стока или исчезают в пространстве затвор-сток, не доходя до последнего; существуют и режимы с пульсацией поля и концентрации электронов в домене, локализованном около затвора. Реализация режимов зависит от геометрии структуры и потенциалов электродов, а также от выбора полевой зависимости дрейфовой скорости v(E) и продольного коэффициента диффузии D(E). Влияние последнего оказалось неожиданно большим, причем высокие пиковые значения D(E), вообще говоря, приводят к статическим режимам с локализацией доменов. Параллельно решалась одномерная задача в одномерно неоднородном образце, где неоднородность легирования имитировала эффект затвора.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.