"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Релаксация фотопроводимости и шум 1/f в GaAs, подвергнутом деструктивному сжатию
Левинштейн М.Е.1, Румянцев С.Л.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 20 декабря 1990 г.

Исследована кинетика релаксации долговременной фотопроводимости в эпитаксиальных слоях GaAs, подвергнутых деструктивному сжатию. Обнаружена прямая корреляция между уровнем шума 1/f и амплитудой фотопроводимости. При 300 К как уровень 1/f шума, так и амплитуда долговременной фотопроводимости монотонно возрастают по мере увеличения степени деструкции. Увеличение амплитуды фотопроводимости и появление в кинетике спада фототока по мере увеличения деструкции все больших и больших времен релаксации не связаны при 300 К с формированием потенциального рельефа, также возникающего в процессе деструкции. При 77 К как уровень шума 1/f, так и амплитуда компоненты долговременной фотопроводимости, не связанной с барьерным механизмом, не зависят от уровня деструкции.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.