"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние нейтронного и космического излучения на характеристики полевого транзистора с затвором Шоттки
Оболенский С.В.1, Павлов Г.П.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 7 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.

Приводятся результаты исследований радиационной деградации СВЧ характеристик GaAs полевых транзисторов с затвором Шоттки (ПТШ). Рассчитана и экспериментально измерена деградация коэффициентов усиления и шума ПТШ. Предложена конструкция ПТШ с частичной компенсацией радиационной деградации.
  1. Г.П. Павлов. Электрон. техн., сер. Электроника СВЧ, вып. 1(435), 38 (1991)
  2. В.Л. Энгль, Х.К. Диркс, Б.Р. Майнерцхаген. \it Моделирование полупроводниковых приборов (М., Мир, 1985)
  3. Р. Цулег. ТИИИЭР, 77, 24 (1989)
  4. В.С. Вавилов. \it Действие излучений на полупроводники (М., 1963)
  5. С.М. Зи. \it Физика полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1973)
  6. M. Reiser. Trans. Electron. Dev., ED-20, 35 (1973)
  7. W. Batchold, H.J.O. Stuff. Electron. Lett., 4, 346 (1968)
  8. Д.В. Ди Лоренцо, Д.Д. Канделуола. \it Полевые транзисторы на арсениде галлия (Радио и связь, 1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.