"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Рассеяние электронов на оптических фононах в двумерных квантовых ямах с независимым захватом электронов и фононов
Пожела Ю.1, Юцене В.1
1Институт физики полупроводников и Литовское отделение Всемирной лаборатории Международного центра научной культуры,, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 28 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.

Рассмотрено рассеяние электронов на оптических фононах в слое GaAs, расположенном между двумя гетеробарьерами AlAs/GaAs, когда электроны и фононы захватываются раздельно в квантовые ямы разной толщины, причем электронная яма уже фононной. Рассчитаны скорости рассеяния электронов внутри нижней подзоны и с переходами в верхние подзоны квантовой ямы, а также рассеяние электронов второй подзоны с переходом в нижнюю.
  1. B. Jusserand, M. Cardona. In: \it Light Scattering in Solids, ed. by M. Cardona, G. Guntherodt (Berlin, Springer, 1985) p. 49
  2. N. Mori, T. Ando. Phys. Rev. B, 40, 6175 (1989)
  3. B.K. Ridley. Phys. Rev. B, 39, 5282 (1989)
  4. J. Menendez. J. Luminesc, 44, 285 (1989)
  5. H. Rucker, E. Molinari, P. Lugli. Phys. Rev. B, 45, 6747 (1992)
  6. J. Pov zela, G. Butkus, V. Juciene. Semicond. Sci. Technol., 9, (1994) (in press)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.