Рассеяние электронов на оптических фононах в двумерных квантовых ямах с независимым захватом электронов и фононов
Пожела Ю.1, Юцене В.1
1Институт физики полупроводников и Литовское отделение Всемирной лаборатории Международного центра научной культуры,, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 28 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.
Рассмотрено рассеяние электронов на оптических фононах в слое GaAs, расположенном между двумя гетеробарьерами AlAs/GaAs, когда электроны и фононы захватываются раздельно в квантовые ямы разной толщины, причем электронная яма уже фононной. Рассчитаны скорости рассеяния электронов внутри нижней подзоны и с переходами в верхние подзоны квантовой ямы, а также рассеяние электронов второй подзоны с переходом в нижнюю.
- B. Jusserand, M. Cardona. In: \it Light Scattering in Solids, ed. by M. Cardona, G. Guntherodt (Berlin, Springer, 1985) p. 49
- N. Mori, T. Ando. Phys. Rev. B, 40, 6175 (1989)
- B.K. Ridley. Phys. Rev. B, 39, 5282 (1989)
- J. Menendez. J. Luminesc, 44, 285 (1989)
- H. Rucker, E. Molinari, P. Lugli. Phys. Rev. B, 45, 6747 (1992)
- J. Pov zela, G. Butkus, V. Juciene. Semicond. Sci. Technol., 9, (1994) (in press)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук