Визуализация крупномасштабных скоплений электрически активных дефектов в монокристаллах фосфида индия и арсенида галлия
Юрьев В.А.1, Калинушкин В.П.1, Астафьев О.В.1
1Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 26 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.
Методом сканирующего малоуглового рассеяния света среднего диапазона визуализированы крупномасштабные скопления электрически активных дефектов в InP и GaAs. Установлено, что значения их концентраций в этих материалах близки к оценкам, принятым в более ранних работах.
- В.П. Калинушкин. Тр. ИОФАН (М.), 4, 3 (1986). [Engl. transl.: Proc. Inst. Gen. Phys. Acad. Sci. USSR, 4, \it Laser Methods of Defect Investigations in Semiconductors and Dielectrics, 1. N.Y., Nova (1988)]
- V.V. Voronkov, S.E. Zabolotskiy, V.P. Kalinushkin, D.I. Murin, M.G. Ploppa, V.A. Yuryev. J. Cryst. Growth, 103, 126 (1990)
- V.P. Kalinushkin, V.A. Yuryev, D.I. Murin, M.G. Ploppa. Semicond. Sci. Technol., 7, A255 (1992)
- В.П. Калинушкин, В.А. Юрьев, Д.И. Мурин. ФТП, 25, 798 (1990)
- В.А. Юрьев, В.П. Калинушкин, Д.И. Мурин. ФТП, 28, 640 (1994)
- O.V. Astafiev, V.P. Kalinushkin, V.A. Yuryev. \it Proc. Int. Conf. on Advanced Laser Technologies (ALT'93), Prague, November 7--9, 1993, in the press
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
