"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Визуализация крупномасштабных скоплений электрически активных дефектов в монокристаллах фосфида индия и арсенида галлия
Юрьев В.А.1, Калинушкин В.П.1, Астафьев О.В.1
1Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 26 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.

Методом сканирующего малоуглового рассеяния света среднего диапазона визуализированы крупномасштабные скопления электрически активных дефектов в InP и GaAs. Установлено, что значения их концентраций в этих материалах близки к оценкам, принятым в более ранних работах.
  1. В.П. Калинушкин. Тр. ИОФАН (М.), 4, 3 (1986). [Engl. transl.: Proc. Inst. Gen. Phys. Acad. Sci. USSR, 4, \it Laser Methods of Defect Investigations in Semiconductors and Dielectrics, 1. N.Y., Nova (1988)]
  2. V.V. Voronkov, S.E. Zabolotskiy, V.P. Kalinushkin, D.I. Murin, M.G. Ploppa, V.A. Yuryev. J. Cryst. Growth, 103, 126 (1990)
  3. V.P. Kalinushkin, V.A. Yuryev, D.I. Murin, M.G. Ploppa. Semicond. Sci. Technol., 7, A255 (1992)
  4. В.П. Калинушкин, В.А. Юрьев, Д.И. Мурин. ФТП, 25, 798 (1990)
  5. В.А. Юрьев, В.П. Калинушкин, Д.И. Мурин. ФТП, 28, 640 (1994)
  6. O.V. Astafiev, V.P. Kalinushkin, V.A. Yuryev. \it Proc. Int. Conf. on Advanced Laser Technologies (ALT'93), Prague, November 7--9, 1993, in the press

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.