"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности фотоэффекта в резких изотипных N+--n 0--n+-гетероструктурах
Жебулев И.А.1, Корольков В.И.1, Табаров Т.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.

Представлены результаты исследования фотоэлектрических свойств гетероструктур на основе InP/InGaAs и GaAs/AlxGa1-xAs с тонкой узкозонной областью. Подробно изучены зависимости коэффициента усиления образцов (сформированных в виде вертикальных фотосопротивлений) от полярности и величины приложенного смещения, а также от интенсивности падающего света и температуры. Предлагается объяснение замеченных особенностей в экспериментальных данных.
  1. R.L. Anderson. Sol. St. Electron., 5, 341 (1962)
  2. W.G. Oldham, A.G. Milnes. Sol. St. Electron., 7, 153 (1964)
  3. Л.А. Волков, В.И. Корольков, А.А. Пулатов, И. Рахимов, Т.С. Табаров, Б.С. Явич. Письма ЖТФ, 11, 800 (1985)
  4. A. Antreasyan, C.Y. Chen. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-33, 188 (1986)
  5. E.S. Snow, P.M. Campbell, O.J. Glenbocki, W.J. Moore, S.W. Kirchoer. Appl. Phys. Lett., 56, 117 (1990)
  6. S.R. Forrest, O.K. Kim. Appl. Phys., 52, 5838 (1981)
  7. P.K. Bhattacharya, H.J. Buhlmann, M. Ilegems, P. Schmid, H. Melchior. Appl. Phys. Lett., 41, 449 (1982)
  8. В.И. Корольков, В.Г. Никитин, Д.Н. Третьяков. ФТП, 8, 2355 (1974)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.