"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Температурная зависимость ширины запрещенной зоны GaAs
Дмитриев А.Г.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.

Значительные расхождения (до нескольких мэВ) между экспериментальными значениями ширины запрещенной зоны и рассчитанными по формуле Варшни Eg(T)=Eg(0)+alpha T2/(T+theta) с эмпирическими параметрами Турмонда [Eg(0)=1.519 эВ, alpha=5.4·10-4 эВ/K, theta=204 K] заставили прибегнуть к ревизии последних. При сопоставлении обычно используемых для определения Eg методов l(1) по краю фундаментального поглощения при hnu>Eg и 2) по положению экситонных линий в спектрах поглощения или излученияr) отмечено, что без привлечения дополнительных предположений Eg может быть найдено только по краю фундаментального поглощения, так как в теоретическую модель этого явления Eg входит как параметр. В противоположность этому экситонные методы требудт дополнительных предположений, так как в теоретической модели экситона Eg как параметр модели не содержится. Таким дополнительным предположеннием является априорное утверждение, что положение экситонной линии отличается от Eg только не величину энергии связи экситона, что может быть ошибочным, например, из-за наличия поляронов в кристалле. Обработка методом наименьших квадратов данных по поглощению при hnu>Eg дала значения эмпирических параметров Eg(0)=1.521 эВ, alpha=5.61· 10-4 эВ/K и theta=266 K. На кривую Eg(T)=1.521-5.61·10-4· T2/(T+266) в интервале температур 2/973 K ложатся все известные экспериментальные значения Eg, в том числе и полученные экситонными методами, со среднеквадратичным отклонением sigma=0.58 мэВ, значительно меньшим, чем при использовании других аппроксимаций.
  1. Y.P. Varshni. Physica, 4, 149 (1967)
  2. Landolt-Borstain. \it Numerical data and functional relationship in science and technology, V. 17. \it Semicond. A^4 and A^3B^5 (Berlin--Heidilberg--N.Y., 1982), V. 22a
  3. C.D. Thurmond. J. Electorchem. Soc., 122, 1133 (1975)
  4. D.D. Sell, S.E. Stokowski, R. Dingle, J.V. Dilorenzo. Phys. Rev., 7, 4568 (1973)
  5. D.D. Sell, H.C. Casey, Jr., K.W. Wecht. J. Appl. Phys., 45, 2650 (1974)
  6. M.B. Panish, H.C. Casey, Jr. J. Appl. Phys., 40, 163 (1969)
  7. Р.П. Сейсян, М.А. Абдуллаев, Б.П. Захарченя. ФТП, 6, 408 (1972)
  8. M.D. Sturge. Phys. Rev., 127, 768 (1962)
  9. M.J. Natan, G. Burns. Phys. Rev., 129, 125 (1963)
  10. С.Г. Рабинович, Погрешности измерений (Л., Энергия, 1978)
  11. А.Г. Дмитриев, Б.В. Коробицын. В сб.: \it Основные направления повышения качества подготовки инженерных кадров в свете перестройки высшего образования (Л., ЛПИ, 1988) C. 83
  12. А.И. Ансельм. \it Введение в теорию полупроводников (М., Наука, 1978)
  13. К. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977)
  14. А.П. Леванюк, В.В. Осипов. УФН, 133, 427 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.