"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Высота барьера Шоттки с тонким сильно легированным слоем полупроводника
Чикун В.В.1
1Научно-производственное предприятие ''Исток'',, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 31 мая 1994 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.

Предложена модель расчета вольт-амперных характеристик диодов с неоднородным легированием области пространственного заряда в барьере Шоттки.
  1. А.А. Кальфа, В.В. Чикун. ФТП, 26, 1024 (1992)
  2. C.R. Crowell, V.L. Rideout. Sol. St. Electron., 12, 89 (1969)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.