"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Поперечная фотоэдс в гетероэпитаксиальной структуре
Шеховцов Л.В.1, Саченко А.В.1, Шварц Ю.М.1
1Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 12 мая 1994 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.

Экспериментально исследована поперечная фотоэдс в гетероэпитаксиальной структуре Ge-GaAs при T=300 K. Вид спектральных характеристик фотоэдс указывает на наличие переходного слоя между пленкой Ge и подложкой GaAs. Немонотонная зависимость амплитуды фотоэдс от подсветки связана с наличием системы ''дрейфовых'' и ''рекомбинационных'' барьеров в объеме гетероструктуры. Предложена модель зонной структуры в виде ''пленка-переходной слой с переменной шириной запрещенной зоны-подложка''.
  1. E.J. Davey. Appl Phys. Lett., 8, 164 (1966)
  2. Н.П. Гарбар, Л.А. Матвеева, В.Ф. Митин, Ю.А. Тхорик, Р. Харман, Ю.М. Шварц, З. Шроубек. ФТП, 21, 393 (1987)
  3. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. \it Электронные свойства легированных полупроводников. (М., 1973)
  4. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. \it Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. (М., 1972)
  5. Я. Тауц. \it Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках. (М., 1962)
  6. Ж.И. Алферов, М.З. Жингарев, С.Г. Конников, И.И. Мокан, В.П. Улин, В.Е. Уманский, Б.С. Явич. 16, 831 (1982)
  7. D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B., 27, 985 (1983)
  8. М.К. Шейнкман, А.Я. Шик. ФТП, 10, 209 (1976)
  9. В.Б. Сандомирский, А.Г. Ждан, М.М. Мессерер, И.Б. Гуляев. ФТП, 7, 1312 (1973)
  10. Ю.Я. Ткач. ЖЭТФ, 101, 203 (1992)
  11. Ю.Я. Ткач, Е.В. Ченский. ЖЭТФ, 102, 1683 (1992)
  12. Ю.Я. Ткач. ФТП, 9, 1071 (1975)
  13. И.П. Жадько, А.Д. Кучерук, В.А. Романов, Б.К. Сердега, Л.В. Шеховцов. УФЖ, 27, 622 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.