Баллистические токи, ограниченные пространственным зарядом, в легированных тонких токопроводящих каналах
Вагидов Н.З.1, Грибников З.С.1, Коршак А.Н.1
1Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 2 августа 1994 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.
Рассчитан ограниченный пространственным зарядом баллистический ток через однородно легированные донорами токопроводящие слои, соединяющие друг с другом массивные катод и анод. Показано, что доминирующим физическим явлением в этой ситуации является экскюзия носителей тока. Зависимость тока от напряжения сублинейна, а распределение потенциала в базе характеризуется двумя областями - сильнополевой и слабополевой. В последней концентрация электронов представлена как электронами, пролетающими с катода на анод, так и тепловыми электронами, находящимися в равновесии с их анодным резервуаром. Учтено возможное статистическое вырождение электронного газа. Двухпотоковая неустойчивость стационарного распределения, обнаруженная ранее в расчетах других авторов, в данных расчетах никак не проявлялась.
- Н.З. Вагидов, З.С. Грибников, А.Н. Коршак. ФТП, 28, 1873 (1994)
- Н.А. Баранов, В.И. Рыжий, В.А. Федирко. Электрон. техн., сер. 3, Микроэлектроника, вып. 2 (98), 33 (1982)
- Н.А. Баранов, В.И. Рыжий, В.А. Федирко. ФТП, 17, 57 (1983)
- Н.А. Баранов, В.И. Рыжий, В.А. Федирко. ФТП, 18, 769 (1984)
- З.С. Грибников, А.Н. Коршак. ФТП, 28, 1445 (1994)
- B. Abraham-Shrauner. IEEE Trans. Electron. Dev., Ed-28, 945 (1981)
- М. Щур. \it Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991)
- M. Dyakonov, M. Shur. In: Proc. Int. Semicond. Dev. Res. Symp. (1993) v. 2, p.741; Phys. Rev. Lett., 71, 2465 (1993)
- Н.Г. Белова, В.И. Рыжий, Ю.С. Сигов. Препринт N 48 ИПМ АН СССР (1982)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук