"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние конкурирующих центров преципитации на распределение имплантируемого азота в Si при формировании захороненных слоев
Качурин Г.А.1, Тысченко И.Е.1, Тийс С.А.1, Плотников А.Е.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 20 июня 1994 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.

Преципитация имплантируемого при 1000oC азота стимулировалась введением центров осаждения в результате предварительныого облучения ионами N+ или Ar+ при более низкой температуре. Обнаружены существенные изменения в распределении преципитирующего азота в зависимости от условий предварительного облучения. Эффекты объяснены конкуренцией стоков для примесных атомов и точечных дефектов.
  1. L. Nesbit, S. Stiffler, G. Slusser, H. Vinton. Electrochem. Soc., 132, 2713 (1985)
  2. C.G. Tuppen, M.R. Taylor, P.L.F. Hemment, R.P. Arrowsmith. Appl. Phys. Lett., 45, 57 (1984)
  3. G.F. Gerofolini, S. Bertoni, P. Fumagalli, L. Meda, C. Spaggiari. Phys. Rev. B, 47, 10174 (1993)
  4. S. Reiss, K.-H. Heinig. Nucl. Instrum. Meth. B, 84, 229 (1994)
  5. S. Reiss, R. Weber, K.-H. Heinig, W. Skorupa. Nucl. Instrum. Meth. B, 89, 337 (1994)
  6. G.A. Kachurin, I.E. Tyschenko, V.P. Popov, S.A. Tijs. Phys. St. Sol. (a), 113, K165 (1989)
  7. G.A. Kachurin, I.E. Tyschenko, L.I. Fedina. Nucl. Instrum. Meth. B, 68, 323 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.