U--центры в селективно легированных гетероструктурах
Дмитриев С.Г.1, Медведев Б.К.1, Мокеров В.Г.1, Шагимуратов О.Г.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 7 июня 1994 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.
Проведен теоретический анализ распределения потенциала в селективно легированной гетероструктуре с двухзарядными центрами с отрицательной корреляционной энергией - так называемыми U--центрами. Приведены результаты расчетов концентрации электронов в двумерном канале ns для типичных значений параметров. Проанализированы температурная стабилизация ns при ns~1012 см-2 и ограничения на достижимые значения ns.
- P.M. Mooney. J. Appl. Phys., 67, R1 (1990)
- D.J. Chadi, K.J. Chang. Phys. Rev. B, 39, 1063 (1989)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. \it Физика полупроводников (М., 1990)
- Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. \it Электронные свойства двумерных систем (М., 1985)
- D. Delagebeandeuf, N.T. Ling. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-29, 955 (1982)
- W. Zawadzki, C. Chaubet, D. Dur, W. Knap, A. Raymond. Semicond. Sci. Technol., 9, 320 (1994)
- S. Adachi. J. Appl. Phys., 58, R1 (1985)
- A. Baraldi, C. Chezzi, A. Parisini, A. Bosacchi, S. Franchi. Semicond. Sci. Technol., 6, B27 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук