"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
U--центры в селективно легированных гетероструктурах
Дмитриев С.Г.1, Медведев Б.К.1, Мокеров В.Г.1, Шагимуратов О.Г.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 7 июня 1994 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.

Проведен теоретический анализ распределения потенциала в селективно легированной гетероструктуре с двухзарядными центрами с отрицательной корреляционной энергией - так называемыми U--центрами. Приведены результаты расчетов концентрации электронов в двумерном канале ns для типичных значений параметров. Проанализированы температурная стабилизация ns при ns~1012 см-2 и ограничения на достижимые значения ns.
  1. P.M. Mooney. J. Appl. Phys., 67, R1 (1990)
  2. D.J. Chadi, K.J. Chang. Phys. Rev. B, 39, 1063 (1989)
  3. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. \it Физика полупроводников (М., 1990)
  4. Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. \it Электронные свойства двумерных систем (М., 1985)
  5. D. Delagebeandeuf, N.T. Ling. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-29, 955 (1982)
  6. W. Zawadzki, C. Chaubet, D. Dur, W. Knap, A. Raymond. Semicond. Sci. Technol., 9, 320 (1994)
  7. S. Adachi. J. Appl. Phys., 58, R1 (1985)
  8. A. Baraldi, C. Chezzi, A. Parisini, A. Bosacchi, S. Franchi. Semicond. Sci. Technol., 6, B27 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.