"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О роли дырок в формировании коэффициента заполнения заряженных дислокаций в полупроводниках n-типа проводимости
Шикина Ю.В.1, Шикина Н.И.1
1Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
Поступила в редакцию: 9 августа 1994 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.

Показано, что неосновные носители (дырки) могут играть определенную роль в формировании коэффициента заполнения заряженных дислокаций деформированного n-германия.
  1. W.T. Read. J. Phil. Mag., 45, 775 (1954)
  2. W.T. Read. J. Phil. Mag., 45, 1119 (1954)
  3. М. Франк-Каменецкий, В. Аншелевич, Л. Лукашин. УФН, 151, 595 (1987)
  4. А.И. Колюбакин, Ю.А. Осипьян, Г.А. Шевченко. ЖЭТФ, 77, 975 (1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.