"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эффект охлаждения, вызываемый отрицательной люминесценцией
Пипа В.И.1
1Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 24 июня 1994 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.

Исследован эффект радиационного охлаждения, вызываемого полупроводниковым источником отрицательной межзонной люминесценции. Получены теоретические зависимости температуры охлаждаемого плоского слоя от мощности люминесценции, поглощательных способностей слоя и полупроводника и их начальной температуры. Рассмотрен нестационарный эффект с учетом конкурирующего нагрева слоя тепловым излучением полупроводника. Показана возможность значительного понижения температуры слоя при использовании оптических фильтров.
  1. В.И. Иванов-Омский, Б.Т. Коломиец, В.А. Смирнов. ДАН СССР, 161, 1308 (1965)
  2. С.С. Болгов, В.К. Малютенко, В.И. Пипа. ФТП, 17, 208 (1983)
  3. P. Berdahl. \it Proc. 18th. Int. Conf. on Phys. of Semicond. (Stockholm, 1986) p. 1595
  4. В.И. Пипа. ФТП, 22, 553 (1988)
  5. В.И. Пипа. Препринт N 3, ИП АН УССР (Киев, 1988)
  6. В.И. Пипа, Е.И. Яблоновский, В.К. Малютенко. ФТП, 24, 1176 (1990)
  7. В.К. Малютенко, А.М. Рыбак, А.Г. Коллюх. ЖПС, 47, 299 (1987)
  8. С.С. Болгов, В.К. Малютенко, В.И. Пипа, А.П. Савченко. Письма ЖТФ, 15, 49 (1989)
  9. Я.Б. Зельдович, Ю.П. Райзер. \it Физика ударных волн и высокотемпературных явлений (М., Наука, 1966)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.