"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Механизм образования проводящих каналов в кристаллах CdS под действием электрического поля
Дроздова И.А.1, Ембергенов Б.Е.1, Корсунская Н.Е.1, Маркевич И.В.1, Сингаевский А.Ф.1
1Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 8 августа 1994 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.

Показано, что необходимым условием формирования проводящих каналов в высокоомных кристаллах CdS является неоднородность кристалла по сопротивлению, а именно наличие в нем низкоомных областей, разделенных узкими высокоомными промежутками. При приложении к кристаллу достаточно высокого напряжения через высокоомные промежутки протекает ток двойной инжекции и сопротивление их резко уменьшается.
  1. И.А. Дроздова, Н.Е. Корсунская, И.В. Маркевич. ФТП, 353 (1994)
  2. Б.В. Марков, А.А. Давыдов. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 7, 575 (1971)
  3. А.С. Гершун, Л.А. Сысоев, Б.Л. Тиман. ФТТ, 8, 3712 (1966)
  4. Н.Е. Корсунская, И.В. Маркевич, Т.В. Торчинская, М.К. Шейнкман. ФТП, 13, 435 (1979)
  5. Р. Бьюб. \it Фотопроводимость твердых тел (М., Иностр. лит., 1962) гл. 5
  6. G.A. Marlos, J. Woods. Proc. Phys. Soc., 81, 1013 (1963)
  7. C.H. Henry, K. Nassau, J.W. Shiever. Phys. Rev. B, 4, 2453 (1971)
  8. Н.Е. Корсунская, И.В. Маркевич, М.К. Шейнкман. ФТТ, 10, 522 (1968)
  9. В.Е. Лашкарев, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. \it Неравновесные процессы в фотопроводниках (Киев, Наук. думка, 1981)
  10. М.К. Шейнкман, А.Я. Шик. ФТП, 10, 209 (1976)
  11. \it Физика и химия соединений A^2B^6, под ред. А.В.Медведева (М., 1970)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.