Механизм образования проводящих каналов в кристаллах CdS под действием электрического поля
Дроздова И.А.1, Ембергенов Б.Е.1, Корсунская Н.Е.1, Маркевич И.В.1, Сингаевский А.Ф.1
1Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 8 августа 1994 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.
Показано, что необходимым условием формирования проводящих каналов в высокоомных кристаллах CdS является неоднородность кристалла по сопротивлению, а именно наличие в нем низкоомных областей, разделенных узкими высокоомными промежутками. При приложении к кристаллу достаточно высокого напряжения через высокоомные промежутки протекает ток двойной инжекции и сопротивление их резко уменьшается.
- И.А. Дроздова, Н.Е. Корсунская, И.В. Маркевич. ФТП, 353 (1994)
- Б.В. Марков, А.А. Давыдов. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 7, 575 (1971)
- А.С. Гершун, Л.А. Сысоев, Б.Л. Тиман. ФТТ, 8, 3712 (1966)
- Н.Е. Корсунская, И.В. Маркевич, Т.В. Торчинская, М.К. Шейнкман. ФТП, 13, 435 (1979)
- Р. Бьюб. \it Фотопроводимость твердых тел (М., Иностр. лит., 1962) гл. 5
- G.A. Marlos, J. Woods. Proc. Phys. Soc., 81, 1013 (1963)
- C.H. Henry, K. Nassau, J.W. Shiever. Phys. Rev. B, 4, 2453 (1971)
- Н.Е. Корсунская, И.В. Маркевич, М.К. Шейнкман. ФТТ, 10, 522 (1968)
- В.Е. Лашкарев, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. \it Неравновесные процессы в фотопроводниках (Киев, Наук. думка, 1981)
- М.К. Шейнкман, А.Я. Шик. ФТП, 10, 209 (1976)
- \it Физика и химия соединений A^2B^6, под ред. А.В.Медведева (М., 1970)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук