"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эпитаксиальные p- n-структуры из GaAs на Si-подложках: электрические, фотоэлектрические и электролюминесцентные свойства
Евстропов В.В.1, Жиляев Ю.В.1, Назаров Н.1, Садофьев Ю.Г.1, Топчий А.Н.1, Фалеев Н.Н.1, Федоров Л.М.1, Шерняков Ю.М.1
1Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия Физико-технический институт Академии наук Туркменистана,, Ашгабад, Туркменистан
Поступила в редакцию: 11 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.

Созданы эпитаксиальные p-n-структуры из GaAs на Si-подложках с использованием комбинированного метода эпитаксии, т.е. последовательным выращиванием слоев GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии и газофазной эпитаксии в открытой хлоридной системе. Результаты исследования характеристики ток (J) - напряжение (U) p-n- GaAs-n-GaAs( b)/n-Si-структур показывают, что в диапазоне температур 77-300 K и плотностей тока 10-8-10-2 А/см2 механизм токопрохождения в прямом направлении туннельно-избыточный. Обратный ток также имеет признаки туннельно-избыточного тока. Спектры фоточувствительности и электролюминесценции p-n- GaAs-n-GaAs( b)/n-Si-структур имеют типичный для обычных p-n-структур из GaAs (без Si-подложки) вид. Инжекционная электролюминесценция в исследованных структурах также типичная и, по-видимому, обусловлена зона-зонной излучательной рекомбинацией носителей заряда.
  1. H. Mori, M. Ogasawara, M. Yamamoto, M. Tachikawa. Appl. Phys. Lett. 51, 1245 (1987)
  2. Y. Itoh, T. Nishioka, A. Yamamoto, M. Yamaguchi, Appl. Phys. Lett., 52, 1617 (1988)
  3. D.G. Deppe, D.C. Holl, N. Holonjak, R.I. Matji, H. Shihijo, J.E. Epler. Appl. Phys. Lett., 53, 874 (1988)
  4. В.М. Андреев, В.Г. Антипов, В.С. Калиновский, Р.В. Каллион, С.А. Никишин, С.С. Рувимов, М.В. Степанов, Е.М. Танклевская, В.П. Хвостиков. ФТП, 27, 141 (1993)
  5. В.В. Евстропов, Ю.В. Жиляев, Н. Назаров, Д.В. Сергеев, Л.М. Федоров. ФТП. 27, 668 (1993)
  6. Ю.В. Жиляев, А.Л. Липко, М.Г. Мынбаева, Н. Назаров, Л.М. Федоров. Письма ЖТФ, 19, 30 (1993)
  7. В.В. Евстропов, Ю.В. Жиляев, Н. Назаров, Д.В. Сергеев, Л.М. Федоров, Ю.М. Шерняков, ФТП, 27,1319 (1993)
  8. В.В. Евстропов, Ю.В. Жиляев, Н. Назаров, В.В. Россин, Л.М. Федоров, Ю.М. Шерняков. Письма ЖТФ, 19, 61 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.