Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Определение параметров зонной структуры CdAs₂ методами оптического пропускания и фотопроводимости

Морозова В.А.¹, Семененя Т.В.¹, Лосева С.М.¹, Кошелев О.Г.¹, Маренкин С.Ф.², Раухман А.М.²

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

²Институт общей и неорганической химии Российской академии наук, Москва, Россия

Поступила в редакцию: 12 июля 1994 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Впервые в интервале температур 78-293 K исследованы спектры оптического поглощения и фотопроводимости структурно-совершенных анизотропных монокристаллов CdAs₂. Показано, что оба края фундаментального поглощения (для поляризаций E|| C и E normal C) определяются непрямыми переходами с участием экситонных состояний и фонона с энергией ~=130 мэВ. Определены величины экситонной ширины запрещенной зоны (при 293 K они равны 0.980 эВ при E|| C и 0.985 эВ при E normal C для непрямых переходов; ~=1.3 эВ при E|| C дял прямого перехода). Температурные коэффициенты смещения в области 78-293 K для varepsilon_g: betaⁱ~=5.6·10⁴ эВ/К, beta^d~=6.0·10⁴ эВ/К. Показано, что энергия связи экситона =<10 мэВ.

В.Б. Лазарев, В.Я. Шевченко, Я.Х. Гринберг, В.В. Соболев. \it Полупроводниковые соединения группы A²B⁵. М., 1978
Н.Н. Сырбу. \it Оптоэлектронные свойства соединений группы A²B⁵. (Кишинев, 1983)
W.J. Turner, A.S. Fischler, W.E. Reese. J. Appl. Phys. Suppl., 32, 2241 (1961)
С.Ф. Маренкин, А.М. Раухман, Н.А. Чумаевский, В.Б. Лазарев. Неорг. матер., 26, 1582 (1990)
Ю.И. Полыгалов, А.С. Поплавной. \it Тез. докл. Всес. координац. совещ. "Метериаловедение полупроводниковых соединений группы A²B⁵" (Ужгород, 1978) с. 54
В.В. Соболев, А.С. Поплавной, Ю.И. Полыгалов. ФТП, 18, 760 (1984)
I. Gregora, J. Petzelt. Phys. St. Sol., 49, 271 (1972)
С.Ф. Маренкин, А.М. Раухман, Д.И. Пищиков, В.Б. Лазарев. Неорг. матер., 28, 1813 (1992)
P.J. Elliot. Phys. Rev., 108, 1384 (1957)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель