"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Генерация электронно-дырочных пар у поверхности полупроводника в краевых полях макроскопических заряженных кластеров: эффекты электрических неоднородностей различных масштабов
Гольдман Е.И.1, Ждан А.Г.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 20 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.

Рассмотрены температурные и полевые зависимости темпа генерации неосновных носителей заряда у электрически неоднородной поверхности полупроводника в условиях, когда рождение электронно-дырочных пар происходит за счет термоавтоэмиссионных переходов зона-зона в краевых полях мелкомасштабных заряженных кластеров. Флуктуации поверхностного потенциала с масштабами, меньшими ширины слоя обеднения в полупроводнике W, играют роль центров локализации неосновных носителей заряда и проявляются в виде аномально узких пиков на кривых температурных зависимостей тока генерации электронно-дырочных пар. Электрические неоднородности с размерами, большими W, приводят к появлению аномально узких пиков на динамической вольт-амперной характеристике МДП структуры, которые невозможно объяснить в рамках представлений об однородной поверхности полупроводника.
  1. Е.И. Гольдман. ФТП, 27, 269 (1993)
  2. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, А.М. Сумарока. Письма ЖЭТФ, 57, 783 (1993)
  3. J.G. Simmons, H.A. Mar. Phys. Rev. B, 8, 3865 (1973)
  4. P.U. Carzolari, S. Graffi, C. Morandi. Sol. St. Electron., 17, 1001 (1974)
  5. H.A. Mar, J.G. Simmons. Phys. Rev. B, 11, 775 (1975)
  6. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., 1984 т. 1.)
  7. D. Vuillaume, M. Lannoo, J.C. Bourgoin, B. Rosencher. J. Appl. Phys., 66, 5920 (1989)
  8. E.H. Nicollian, J.R. Brews. \it MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology (N.Y., 1982)
  9. А.Г. Ждан, Ю.В. Маркин, А.М. Сумарока. Микроэлектроника, 22, 54 (1993)
  10. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, А.М. Сумарока. ФТП, 26, 2048 (1992)
  11. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан. Микроэлектроника, 23, 3 (1994)
  12. Р.Н. Литовский, В.С. Лысенко, А.Н. Назаров, Т.Е. Руденко. Микроэлектроника, 16, 427 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.