Исследована возможность применения метода реактивного ионно-плазменного травления для формирования широкополосных антиотражающих структур на поверхности фотоприемных областей p⁺-n-n⁺-фотодиодов на основе 4H-SiC. Показано, что в процессе травления при использовании алюминиевых масок с толщинами ~ 50 нм наряду с утончением верхнего p⁺-эпислоя на его поверхности за счет эффекта микромаскирования SiC формируется самоупорядоченная профилированная структура с доминирующим острийным рельефом 600-800 нм. Ее наличие позволяет повысить внешний квантовый выход 4H-SiC-фотодиодов. Ключевые слова: 4H-SiC, p⁺-n-n⁺-фотодиод, УФ диапазон, микропрофилирование, реактивное ионно-плазменное травление - РИПТ, Al-маска, чувствительность, внешний квантовый выход - ВКВ.