Проведены измерения спектров излучения InGaN/GaN-светодиодов с квантовыми ямами для токов инжекции от 1 мкА до 55 мА. Проведен анализ зависимости параметров спектра излучения от величины тока с применением модели, когда процесс инжекции электронов в область квантовой ямы рассматривался как неравновесный стационарный процесс. Моделированием определено, что уменьшение квантового выхода при больших токах связано с уменьшением времени жизни носителей тока за счет увеличения температуры в области p-n-перехода за счет джоулева тепла. Температура в области p-n-перехода была оценена по ширине спектра излучения моделированием вольт-амперной характиристики, по наклону коротковолнового крыла спектра излучения и измерением спектров люминесценции ионов Cr³⁺ сапфировой подложки. При температуре окружающей среды 23 ^oC при пропускании тока 55 мА температура в области квантовой ямы оценена равной 97 ^oC, в области p-n-перехода - 60 ^oC, сапфировой подложки - 45 ^oC. Моделированием показано, что измерением зависимости сдвига максимума спектра излучения от величины тока можно определить важнейшие параметры InGaN/GaN-структуры с квантовыми ямами. Ключевые слова: InGaN/GaN, структуры с квантовой ямой, эффективность излучения, моделирование спектра.