Полуполярные AlN(1011)-слои, выращенные хлорид-гидридной газофазной эпитаксией на предварительно изготовленных AlN/Si(100)-темплейтах, исследовались методами атомно-силовой и сканирующей электронной микроскопии и рентгеновской дифракции. В качестве темплейтов на подложке Si(100) с симметричным V-образным нанорельефом глубиной ~ 40 нм при шаге 40-60 нм были подготовлены два типа структур, в которых один имел только слой, выращенный газофазной эпитаксией из металлоорганических соединений, а второй имел еще и дополнительный промежуточный слой, выращенный методом реактивного магнетронного распыления. Показано, что оба типа формировали слой AlN, выращенный хлорид-гидридной газофазной эпитаксией, в виде блоков, размеры которых были больше для структуры, выращенной эпитаксией из металлоорганических соединений, чем сформированной двумя методами. Обнаружено, что на темплейте, сформированном двумя методами, при толщине отделенного от подложки слоя 115 мкм рентгеновская дифракция показала наличие (0002) и (1011) блоков, с величиной полуширины кривой качания рентгеновской дифракции ω_theta=5 arcgrad, а на темплейте, выращенном газофазной эпитаксией из металлоорганических соединений, был создан слой AlN(1011) толщиной 7 мкм c ω_theta=1.5 arcgrad c трещинами в направлении, перпендикулярном V-канавке. Ключевые слова: нитрид алюминия, наноструктурированная подложка кремния, хлорид-гидридная газофазная эпитаксия.