Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Метаморфные лазеры спектрального диапазона 1.3 мкм, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs
Жуков А.Е.1, Ковш А.Р.1, Михрин С.С.1, Семенова Е.С.1, Малеев Н.А.1, Васильев А.П.1, Никитина Е.В.1, Крыжановская Н.В.1, Гладышев А.Г.1, Шерняков Ю.М.1, Мусихин Ю.Г.1, Максимов М.В.1, Леденцов Н.Н.1, Устинов В.М.1, Алфёров Ж.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 27 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.
Реализован метод эпитаксиального формирования инжекционных лазеров на диапазон длин волн 1.3 мкм на подложках GaAs. Метод основан на использовании метаморфной гетероструктуры с содержанием индия около 20%, осаждаемой на переходном буферном слое, предназначенном для релаксации напряжения рассогласования. В качестве активной области лазера используются квантовые ямы с более высоким (около 40%) содержанием индия. В лазерах полосковой конструкции шириной 100 мкм продемонстрирована лазерная генерация при комнатной температуре на длине волны 1.29 мкм с минимальной пороговой плотностью тока 3.3 кА/см2 (0.4 кА/см2 при 85 K).
- G. Park, O.B. Shchekin, D.L. Huffaker, D.G. Deppe. IEEE Photon. Technol. Lett., 13 (3), 230 (2000)
- G.T. Liu, A. Stinz, H. Li, T.C. Newell, A.L. Gray, P.M. Varangis, K.J. Malloy, L.F. Lester. IEEE J. Quant. Electron., 36 (11), 1272 (2000)
- A.R. Kovsh, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, S.S. Mikhrin, A.P. Vasil'ev, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, D.A. Livhsits, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Electron. Lett., 38 (19), 1104 (2002)
- A.Yu. Egorov, D. Bernklay, B. Borchert, S. Illek, D. Livshits, A. Rucki, M. Schuster, A. Kaschner, A. Hoffmann, Ch. Dumitras, M.C. Amann, H. Riechert. J. Cryst. Growth, 227--228, 545 (2001)
- N. Tansu, N.J. Kirsh, L.J. Mawst. Appl. Phys. Lett., 81 (14), 2523 (2002)
- M. Beher, K. van der Zanden, G. Gorghs, A. Behres. Appl. Phys. Lett., 73 (19), 2760 (1998)
- M. Zaknoune, Y. Cordier, S. Bollaert, D. Ferre, D. Theron, Y. Crosnier. Sol. St. Electron., 44, 1685 (2000)
- Y. Zeng, X. Cao, L. Cui, M. Kong, L. Pan, B. Wang, Zh. Zhu. J. Cryst. Growth, 227--228, 210 (2001)
- Y. Cordier, D. Ferre. J. Cryst. Growth, 201--202, 263 (1999)
- S.S. Mikhrin, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, D.A. Livshits, N.A. Maleev, A.P. Vasil'ev, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, N.A. Pihtin, I.S. Tarasov, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. Proc. 26th Int. Conf. on Physics of Semiconductors, July 29--Aug. 2, (Edinburgh, UK, 2002) paper L2.3
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
