Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Метаморфные лазеры спектрального диапазона 1.3 мкм, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 27 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.
Реализован метод эпитаксиального формирования инжекционных лазеров на диапазон длин волн 1.3 мкм на подложках GaAs. Метод основан на использовании метаморфной гетероструктуры с содержанием индия около 20%, осаждаемой на переходном буферном слое, предназначенном для релаксации напряжения рассогласования. В качестве активной области лазера используются квантовые ямы с более высоким (около 40%) содержанием индия. В лазерах полосковой конструкции шириной 100 мкм продемонстрирована лазерная генерация при комнатной температуре на длине волны 1.29 мкм с минимальной пороговой плотностью тока 3.3 кА/см2 (0.4 кА/см2 при 85 K).
- G. Park, O.B. Shchekin, D.L. Huffaker, D.G. Deppe. IEEE Photon. Technol. Lett., 13 (3), 230 (2000)
- G.T. Liu, A. Stinz, H. Li, T.C. Newell, A.L. Gray, P.M. Varangis, K.J. Malloy, L.F. Lester. IEEE J. Quant. Electron., 36 (11), 1272 (2000)
- A.R. Kovsh, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, S.S. Mikhrin, A.P. Vasil'ev, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, D.A. Livhsits, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Electron. Lett., 38 (19), 1104 (2002)
- A.Yu. Egorov, D. Bernklay, B. Borchert, S. Illek, D. Livshits, A. Rucki, M. Schuster, A. Kaschner, A. Hoffmann, Ch. Dumitras, M.C. Amann, H. Riechert. J. Cryst. Growth, 227--228, 545 (2001)
- N. Tansu, N.J. Kirsh, L.J. Mawst. Appl. Phys. Lett., 81 (14), 2523 (2002)
- M. Beher, K. van der Zanden, G. Gorghs, A. Behres. Appl. Phys. Lett., 73 (19), 2760 (1998)
- M. Zaknoune, Y. Cordier, S. Bollaert, D. Ferre, D. Theron, Y. Crosnier. Sol. St. Electron., 44, 1685 (2000)
- Y. Zeng, X. Cao, L. Cui, M. Kong, L. Pan, B. Wang, Zh. Zhu. J. Cryst. Growth, 227--228, 210 (2001)
- Y. Cordier, D. Ferre. J. Cryst. Growth, 201--202, 263 (1999)
- S.S. Mikhrin, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, D.A. Livshits, N.A. Maleev, A.P. Vasil'ev, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, N.A. Pihtin, I.S. Tarasov, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. Proc. 26th Int. Conf. on Physics of Semiconductors, July 29--Aug. 2, (Edinburgh, UK, 2002) paper L2.3
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
