Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фазовые и структурные изменения в многослойных контактах к n-GaAs, стимулированные быстрыми термическими обработками

Болтовец Н.С.¹, Иванов В.Н.¹, Конакова Р.В.², Литвин П.М.², Литвин О.С.², Миленин В.В.², Прокопенко И.В.²

¹Государственное предприятие Научно-исследовательский институт Орион, Киев, Украина
²Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Поступила в редакцию: 10 сентября 2002 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.

PDF версия

Исследовались фазовые, структурные и электрофизические свойства многослойных контактных систем Au-Mo-TiB_x-AuGe-GaAs, используемых в технологическом процессе формирования диодов Ганна на основе GaAs. До и после быстрых термических обработок в атмосфере водорода при T=400, 600 и 800^oC в течение 60 с исследовались: фазовый состав и уровень остаточных механических напряжений методом рентгеновской дифракции; морфологические особенности поверхности пленок золота - методом атомно-силовой микроскопии; вольт-амперные характеристики в области слабого электрического поля. Показано, что вплоть до температуры отжига T=600^oC сохраняются буферные свойства TiB_x. Установлена роль внутренних механических напряжений в деградации омических контактов Au-Mo-TiB_x-AuGe-GaAs.

G.Y. Robinson. Sol. St. Electron., 18 (4), 331 (1975)
A.K. Rai, R.S. Bhattachrya, Y.S. Park. Thin Sol. Films, 114, 379 (1984)
Б.А. Лапшинов, А.Б. Камнев, Л.Н. Кравченко и др. Зарубеж. электрон. техн., N 5, 58 (1987)
А.А. Раскин, С.В. Шалимов. Зарубеж. электрон. техн., N 12, 32 (1990)
Ю.А. Гольдберг. ФТП, 28 (10), 1681 (1994)
A.G. Baca, F. Ren, J.C. Zolper et al. Thin Sol. Films, 308--309, 599 (1997)
М.Е. Левинштейн, Ю.К. Пожела, М.С. Шур. Эффект Ганна (М., Сов. радио, 1975)
В.Н. Иванов, Л.Е. Коваленко, Т.С. Сумская и др. Электрон. техн., сер. 2, Полупроводниковые приборы, N 4 (195), 49 (1988)
В.В. Миленин, Р.В. Конакова, В.Н. Иванов и др. ЖТФ, 70 (11), 80 (2000)
N.L. Dmitruk, I.B. Ermolovich, R.V. Konakova et al. Appl. Surf. Sci., 166, 520 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель