Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электрические свойства и спектры люминесценции светодиодов на основе гетеропереходов InGaN / GaN с модулированно-легированными квантовыми ямами1
Мамакин С.С.1, Юнович А.Э.1, Ваттана А.Б.2, Маняхин Ф.И.2
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия 
2Московский институт стали и сплавов, Москва, Россия
2Московский институт стали и сплавов, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 2 сентября 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.
Исследованы распределение заряженных центров N(w), квантовый выход излучения и спектры люминесценции голубых и зеленых светодиодов на основе p-n-гетероструктур InGaN / AlGaN / GaN. Множественные квантовые ямы InGaN / GaN были модулированно легированы донорами Si в GaN-барьерах. Концентрации доноров и акцепторов на границах перехода, определенные гетеродинным методом динамической емкости, были порядка NA>=1·1019 см-3>> ND>=1·1018 см-3. Функции N(w) имели максимумы и минимумы, с периодом 11-18 нм (±2-3 нм). Построена энергетическая диаграмма структур. Сдвиги спектральных максимумов с изменением тока (J=10-6-3·10-2 А) малы (3-12 мэВ для голубых и 20-50 мэВ для зеленых диодов), меньше, чем для диодов с нелегированными барьерами (до 150 мэВ). Это объясняется экранированием пьезоэлектрических полей в ямах электронами. Квантовый выход излучения в зависимости от тока коррелирует с распределением зарядов и особенностями вольт-амперных характеристик диодов.
- N. Gardner, C. Kocot, W. Goetz, M. Huerschen, C. Flory, D. Bour, T. Takeuchi, S. Stockman, M. Misra, Yu.-C. Shen, M. Krames, R.S. Kern. 4th Int. Conf. on Nitride Semicond. (Denver, July, 2001) Book of Abstract, p. 38, PM B6.1
- P. Lefebre, J. Allegre, B. Gil, H. Mathieu, N. Grandjean, M. Leroux, J. Massies, P. Bigenwald. Phys. Rev. B, 59, 15 363 (1999)
- F. Bernardini, V. Fiorentini. Phys. Rev. B, 57 (16), R9427 (1998)
- S.F. Chichibu, S.P. DenBaars, K. Wada, M. Aritta, T. Sota, S. Nakamura. Mater. Sci. Eng. 59, 298 (1999)
- A. Hangleiter, J.S. Im, H. Kollmer, O. Gfrorer, J. Off, F. Scholz. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 4S11, G6.20 (1999)
- В.Е. Кудряшов, К.Г. Золина, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ФТП, 31, 1304 (1997)
- А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ФТП, 32, 63 (1998)
- В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин. ФТП, 33, 445 (1999)
- В.Е. Кудряшов, С.С. Мамакин, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин. ФТП, 35, 861 (2001)
- A.E. Yunovich, V.E. Kudryashov, S.S. Mamakin, A.N. Turkin, A.N. Kovalev, F.I. Manyakhin. Phys. St. Sol. (a), 176, 125 (1999)
- A.E. Yunovich, V.E. Kudryashov. Phys. St. Sol. (b), 228, 141 (2001)
- Ф.И. Маняхин, А.Б. Ваттана, С.С. Мамакин, А.Э. Юнович. Тез. докл. Всеросс. конф. "Нитирды галлия, алюминия и индия --- структуры и приборы" (М., МГУ, 2001) с. 27
- A.E. Yunovich, S.S. Mamakin, F.I. Manyakhin, N. Gardner, W. Goetz, M. Misra, S. Stockman. MRS Spring Meeting 2002 (San Francisco, 2002) Abstract, Book, K2.4
- P.N. Broukov, T. Benyattou, G. Guillot. J. Appl. Phys., 80, 864 (1996)
- P. Blood. Semicond. Sci. Technol., 1, 7 (1986)
- Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Токи двойной инжекции в полупроводниках (М., Сов. радио, 1978) 3.2
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
