"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрические свойства и спектры люминесценции светодиодов на основе гетеропереходов InGaN / GaN с модулированно-легированными квантовыми ямами1
Мамакин С.С.1, Юнович А.Э.1, Ваттана А.Б.2, Маняхин Ф.И.2
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2Московский институт стали и сплавов, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 2 сентября 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.

Исследованы распределение заряженных центров N(w), квантовый выход излучения и спектры люминесценции голубых и зеленых светодиодов на основе p-n-гетероструктур InGaN / AlGaN / GaN. Множественные квантовые ямы InGaN / GaN были модулированно легированы донорами Si в GaN-барьерах. Концентрации доноров и акцепторов на границах перехода, определенные гетеродинным методом динамической емкости, были порядка NA>=1·1019 см-3>> ND>=1·1018 см-3. Функции N(w) имели максимумы и минимумы, с периодом 11-18 нм (±2-3 нм). Построена энергетическая диаграмма структур. Сдвиги спектральных максимумов с изменением тока (J=10-6-3·10-2 А) малы (3-12 мэВ для голубых и 20-50 мэВ для зеленых диодов), меньше, чем для диодов с нелегированными барьерами (до 150 мэВ). Это объясняется экранированием пьезоэлектрических полей в ямах электронами. Квантовый выход излучения в зависимости от тока коррелирует с распределением зарядов и особенностями вольт-амперных характеристик диодов.
  1. N. Gardner, C. Kocot, W. Goetz, M. Huerschen, C. Flory, D. Bour, T. Takeuchi, S. Stockman, M. Misra, Yu.-C. Shen, M. Krames, R.S. Kern. 4th Int. Conf. on Nitride Semicond. (Denver, July, 2001) Book of Abstract, p. 38, PM B6.1
  2. P. Lefebre, J. Allegre, B. Gil, H. Mathieu, N. Grandjean, M. Leroux, J. Massies, P. Bigenwald. Phys. Rev. B, 59, 15 363 (1999)
  3. F. Bernardini, V. Fiorentini. Phys. Rev. B, 57 (16), R9427 (1998)
  4. S.F. Chichibu, S.P. DenBaars, K. Wada, M. Aritta, T. Sota, S. Nakamura. Mater. Sci. Eng. 59, 298 (1999)
  5. A. Hangleiter, J.S. Im, H. Kollmer, O. Gfrorer, J. Off, F. Scholz. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 4S11, G6.20 (1999)
  6. В.Е. Кудряшов, К.Г. Золина, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ФТП, 31, 1304 (1997)
  7. А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ФТП, 32, 63 (1998)
  8. В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин. ФТП, 33, 445 (1999)
  9. В.Е. Кудряшов, С.С. Мамакин, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин. ФТП, 35, 861 (2001)
  10. A.E. Yunovich, V.E. Kudryashov, S.S. Mamakin, A.N. Turkin, A.N. Kovalev, F.I. Manyakhin. Phys. St. Sol. (a), 176, 125 (1999)
  11. A.E. Yunovich, V.E. Kudryashov. Phys. St. Sol. (b), 228, 141 (2001)
  12. Ф.И. Маняхин, А.Б. Ваттана, С.С. Мамакин, А.Э. Юнович. Тез. докл. Всеросс. конф. "Нитирды галлия, алюминия и индия --- структуры и приборы" (М., МГУ, 2001) с. 27
  13. A.E. Yunovich, S.S. Mamakin, F.I. Manyakhin, N. Gardner, W. Goetz, M. Misra, S. Stockman. MRS Spring Meeting 2002 (San Francisco, 2002) Abstract, Book, K2.4
  14. P.N. Broukov, T. Benyattou, G. Guillot. J. Appl. Phys., 80, 864 (1996)
  15. P. Blood. Semicond. Sci. Technol., 1, 7 (1986)
  16. Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Токи двойной инжекции в полупроводниках (М., Сов. радио, 1978) 3.2

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.