"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Метаморфные модулированно-легированные гетероструктуры InAlAs / InGaAs / InAlAs с высокой подвижностью электронов на подложках GaAs
Семенова Е.С.1, Жуков А.Е.1, Васильев А.П.1, Михрин С.С.1, Ковш А.Р.1, Устинов В.М.1, Мусихин Ю.Г.1, Блохин С.А.1, Гладышев А.Г.1, Леденцов Н.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs созданы метаморфные модулированно-легированные гетероструктуры в системе материалов InGaAs / InAlAs. Проведена оптимизация условий выращивания градиентного буферного слоя при низкой температуре осаждения, позволяющая резко снизить количество структурных дефектов в рабочих слоях структуры. Подвижность электронов в двумерном канале метаморфных структур, выращенных в оптимизированных условиях, (8100 см2/В·с при 300 K) значительно превосходит значения, достижимые в напряженных гетероструктурах InGaAs / AlGaAs на подложках GaAs.
  1. L.D. Nguyen, L.E. Larson, U.K. Mishra. Proc. IEEE, 80, 494 (1992)
  2. W.E. Hoke, P.J. Lemonias, J.J. Mosca. J. Vac. Sci. Technol. B, 17 (3), 1131 (1999)
  3. M. Zaknoune, B. Bonte, C. Gaquiere. IEEE Electron. Dev. Lett., 19 (9), 345 (1998)
  4. G. Wang, Y. Chen, W.J. Scha. IEEE Trans. Electron. Dev., 35 (7), 818 (1988)
  5. M. Behet, K. Van der Zanden, G. Borghs. Appl. Phys. Lett., 73, 2760 (1998)
  6. T. Mishima, K. Higuchi, M. Mori. J. Cryst. Growth, 150, 1230 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.