Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

О быстром восстановлении блокирующей способности карбид-кремниевых диодов

Грехов И.В.¹, Кюрегян А.С.², Мнацаканов Т.Т.², Юрков С.Н.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия All-Russia Electrical Engineering Institute, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 10 февраля 2003 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведен сравнительный анализ влияния различных факторов, определяющих характер восстановления блокирующей способности карбид-кремниевых диодов. Показано, что доминирующим является механизм, обусловленный большой величиной отношения подвижностей электронов и дырок в SiC. Именно этот механизм приводит к тому, что, независимо от асимметрии эффективности эмиттеров и вызванной ею начальной неоднородности плазмы в высокоомной базе, эффект сверхбыстрого (субнаносекундного) обрыва тока может наблюдаться при восстановлении карбид-кремниевых диодов с базой p-типа, а "мягкое" восстановление присуще только диодам с базой n-типа.

Y. Sugawara, K. Asano, R. Singh et al. Proc. ICSCRM'99, Swizerland. Mater Sci. Forum, 338--342, p. 1371
P. Alexandrov, J.H. Zhao, W. Wring et al. Electron. Lett., 37, 1139 (2001)
P.A. Ivanov, M.E. Levinshtein, A.K. Agarwal et al. Semicond. Sci. Technol., 16, 521 (2001)
S.-J. Run, A.K. Agarwal, J. Richmond et al. Proc. ICSCRM (Japan, 2001) p. 1265
A.K. Agarwal, P.A. Ivanov, M.E. Levinshtein et al. Sci. Technol., 16, 260 (2001)
И.В. Грехов, П.А. Иванов, А.О. Константинов и др. Письма ЖТФ, 28, 24 (2002)
И.В. Грехов. Изв. РАН. Сер. Энергетика, N 1, 53 (2000)
M.E. Levinstein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov et al. IEEE Trans. Electron. Dev., 48, 1703 (2001)
M.E. Levinstein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur (ed.) Properties of Advanced Semiconductor Materials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe (N.Y., Wiley, 2001)
H. Benda, E. Shpenke. Proc. IEEE, 55, 1331 (1967)
M.T. Rahimo, N.Y.A. Shammas. Microelectronics J., 30, 499 (1999)
T.T. Mnatsakanov, I.L. Rostovtsev, N.I. Philatov. Sol. St. Electron., 30, 579 (1987)
M.E. Levinstein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov et al. Electron. Lett., 36, 1241 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель