Влияние условий молекулярно-лучевой эпитаксии на захват кремния в подрешетки А и В арсенида галлия
Бобровникова И.А.1, Вилисова М.Д.2, Ивонин И.В.2, Лаврентьева Л.Г.2, Преображенский В.В.3, Путято М.А.3, Семягин Б.Р.3, Субач С.В.1, Торопов С.Е.2
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 5 декабря 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.
Исследовано влияние концeнтрации легирующей примеси и кристаллографической ориентации поверхности роста на захват кремния в подрешетки А и В при молекулярно-лучевой эпитаксии арсенида галлия. Слои арсенида галлия выращивались на подложках GaAs ориентаций (100), 2o(100), 4o(100), 8o(100) при температуре 520oC и на подложках ориентаций (111)А, 2o(111)A, 5o(111)A, 6o(111)A, 8o(111)A при температуре 480oC. Концентрация кремния варьировалась в пределах 1017-1019 cм-3. С помощью электрофизических и фотолюминесцентных методов исследований обнаружено, что примесь кремния присутствует в слоях GaAs в узлах обеих подрешеток как в элементарном виде (SiGa, SiAs), так и в виде комплексов типа SiGa-SiAs, SiGa-VGa и SiAs-VAs. Концентрация Si в различных формах зависит от уровня легирования слоев и ориентации поверхности роста. Амфотерные свойства кремния проявляются на грани (111)А сильнее, чем на грани (100). Показано, что формирование примесных дефектов происходит на стадии кристаллизации слоя и определяется структурой ростовой поверхности.
- Y. Okano, H. Seto, H. Katahama et al. Jap. J. Appl. Phys., 28, L151 (1989)
- F. Piazza, L. Pavesi, M. Henini, D. Johnston. Semicond. Sci. Technol., 7, 1504 (1992)
- A. Chin, P. Martin, P. He et al. Appl. Phys. Lett., 59, 1899 (1991)
- W.I. Wang, E.E. Mendez, T.S. Kuan, L. Esaki. Appl. Phys. Lett., 47, 826 (1985)
- Г.Б. Галиев, В.Г. Мокеров, Э.Р. Ляпин, В.В. Сарайкин, Ю.В. Хабаров. ФТП, 35 (4), 421 (2001)
- L. Pavesi, M. Henini, D. Johnston. Appl. Phys. Lett., 66 (21), 2846 (1995)
- T. Ohachi, J.M. Feng, K. Asai et al. Microelectronics J., 30, 471 (1999)
- В.Г. Мокеров, Г.Б. Галиев, Ю.В. Слепнев, Ю.В. Хабаров. ФТП, 32 (11), 1320 (1998)
- I.A. Bobrovnikova, L.G. Lavrentieva, M.P. Rusaikin, M.D. Vilisova. J. Cryst. Growth, 123, 529 (1992)
- И.А. Бобровникова, Л.Г. Лаврентьева, С.Е. Торопов. ФТП, 20 (9), 1701 (1986)
- К.Д. Глинчук, К. Лукат, А.В. Прохорович. В кн.: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, под ред. С.В. Свечникова (Киев, Наук. думка, 1982) вып. 1, с. 39
- К.С. Журавлев, Д.И. Лубышев, В.П. Мигаль, Б.Р. Семягин, Т.С. Шамирзаев. Тез. докл. 8-й Всес. конф. по росту кристаллов (Харьков, 1992) т. 1, с. 218
- Nguen Hong Ky, F.K. Reinhart. J. Appl. Phys., 83 (2), 718 (1998)
- E.W. Williams. Phys. Rew., 168, 922 (1968)
- Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 30, 1123 (1996)
- Y. Imura, D. Yui, M. Kawabe. Extended abstracts of the 18th Int. Conf. on Solid State Deviсes and Materials (Tokyo, 1986) p. 623
- Л.Г. Лаврентьева, И.А. Бобровникова, М.Д. Вилисова. Изв. вузов. Материалы электрон. техники, N 4, 35 (1998)
- А.Е. Куницын, В.В. Чалдышев, С.П. Вуль, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 33 (10), 1187 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
