Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Междолинное перераспределение электронов при низких температурах и магнитодиодный эффект

Абрамов А.А.¹, Горбатый И.Н.¹

¹Московский государственный институт электронной техники (Технический университет), Москва, Россия

Поступила в редакцию: 2 декабря 2002 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты измерений вольт-амперных характеристик кремниевых p-i-n-структур в поперечном к току магнитном поле при температуре 77 K. Особенности вольт-амперных характеристик и магниточувствительности при низких температурах объяснены суперпозицией анизотропных размерных эффектов, вызванных силой Лоренца и междолинным перераспределением электронов. Это перераспределение в свою очередь может быть следствием либо полевого разогрева электронов (эффект Сасаки) в объеме полупроводника, либо нарушением вблизи поверхности полупроводника взаимной компенсации поперечных потоков электронов, принадлежащих разным долинам.

Z.S. Gribnikov, G.I. Lomova, V.A. Romanov. Phys. St. Sol., 28, 815 (1968)
Т. Ямада. Тр. IX Межд. конф. по физике полупроводников (1968) т. 2, с. 711
В.И. Стафеев, Э.И. Каракушан. Магнитодиоды (М., Наука, 1975)
H. Pfleiderer. Sol. St. Electron., 15, 335 (1972)
А.А. Абрамов, А.У. Фаттахдинов. ФТП, 13, 2144 (1979)
L.S. Gasanov, I.N. Gorbatii. Phys. St. Sol. (a), 59, 401 (1980)
K. Miyazaki, J. Yamaguchi. Jap. J. Appl. Phys., 7, 1210 (1968)
Л.С. Гасанов. ФТП, 15, 2416 (1981)
Э.И. Рашба. ЖЭТФ, 48, 1427 (1965)
З.С. Грибников. ФТП, 3, 1821 (1969)
А.А. Абрамов, И.Н. Горбатый. Изв. вузов. Электроника, N 6, 41 (2000)
А.А. Абрамов, И.Н. Горбатый. ФТП, 36, 847 (2002)
W. Sasaki, M. Shibuya, K. Mizuguchi. J. Phys. Soc. Japan, 13, 456 (1958)
К. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель