"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Энергия миграции вакансий в кристаллах кремния p-типа
Пагава Т.А.1, Башелейшвили З.В.1
1Грузинский технический университет, Тбилиси, Грузия
Поступила в редакцию: 25 июня 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.

Образцы p-Si, легированные бором, облучались электронами с энергией 8 МэВ. Энергии активации отжига K-центров и комплексов (V+B), определенные по кривым изохронного отжига этих дефектов, равняются ~ 0.915 и 1.6 эВ соответственно. Вдоль локально облученных кристаллов измерялось распределение объемной фотоэдс. По проведенным оценкам энергия миграции положительно заряженных вакансий EV++M~ 0.6 эВ, а нейтральных - EV0M~ 0.345 эВ.
  1. Л.С. Милевский, В.С. Гарнык. ФТП, 13 (7), 1369 (1979)
  2. З.В. Башелейшвили, Т.Л. Бжалава, Т.А. Пагава, В.В. Санадзе. Сообщ. АН ГССР, 116 (2), 297 (1984)
  3. G. Tsintsadze, T. Pagava, V. Garnic, Z. Basheleishvili. Bull. Georgian Acad. Sci., 160 (3), 444 (1999)
  4. В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981)
  5. И.Д. Конозенко, А.К. Семенюк, В.И. Хиврич. Радиационные эффекты в кремнии (Киев, Наук. думка, 1974)
  6. A.H. Calma, J.C. Corelli. Phys. Rev., 173 (3), 734 (1968)
  7. Y.H. Lee, J.W. Corbett, K.L. Brower. Phys. St. Sol. A, 41, 637 (1977)
  8. П.Ф. Лугаков, В.В. Лукьяница. ФТП, 20 (4), 742 (1986)
  9. А. Дамаск, Дж. Динс. Точечные дефекты в металлах (М., Мир, 1966)
  10. В.А. Пантелеев, С.Н. Ершов, В.В. Черняховский, С.Н. Нагорных. Письма ЖЭТФ, 23 (12), 688 (1976)
  11. С.Н. Ершов, В.А.Пантелеев, С.Н. Нагорных, В.В. Черняховский. ФТТ, 19 (1), 322 (1977)
  12. Ж. Бургуен, М. Ланно. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты (М., Мир, 1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.