"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Зависимость энергии активации A(+)-центров от ширины квантовых ям в структурах GaAs/AlGaAs
Иванов Ю.Л.1, Петров П.В.1, Тонких А.А.1, Цырлин Г.Э.1, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 декабря 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.

Проведены люминесцентные измерения структур с несколькими квантовыми ямами GaAs/AlGaAs, содержащими A(+)-центры, при разных ширинах квантовых ям с целью определения зависимости энергии активации A(+)-центров от ширины квантовых ям. Показано, что с уменьшением ширины ям энергия активации A(+)-центров значительно возрастает, причем в ямах шириной 10 нм энергия активации в 10 раз больше, чем в объемном материале. Замечено, что энергия активации A(+)-центров зависит от их концентрации.
  1. Н.В. Агринская, Ю.Л. Иванов, В.М. Устинов, Д.А. Полоскин. ФТП, 35, 571 (2001)
  2. Н.В. Агринская, В.И. Козуб, Ю.Л. Иванов, В.М. Устинов, А.В. Черняев, Д.В. Шамшур. ЖЭТФ, 120, 1 (2001)
  3. Ю.Л. Иванов, Н.В. Агринская, П.В. Петров, В.М. Устинов, Г.Э. Цырлин. ФТП, 36, 993 (2002)
  4. S. Huant, S.P. Najda, B. Etienne. Phys. Rev. Lett., 65, 1486 (1990)
  5. D. Larsen. Phys. Rev. B, 47, 16 333 (1993)
  6. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.