"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Структура пиков E4 и E5 в n-GaAs
Иванюкович В.А., Карась В.И., Ломако В.М.
Выставление онлайн: 20 июля 1990 г.

В облученном при комнатной температуре гамма-квантами и электронами n-GaAs впервые наблюдались радиационные центры P2 и P3 до проведения высокотемпературного отжига. Показано, что при энергии электронов более 1 МэВ основной вклад в спектр НЕСГУ в интервале температур свыше 250 K вносят центры E4 и P3, причем с увеличением энергии электронов их доля в суммарном спектре растет. Кроме того, скорости введения центров E4, P3 и, возможно, P2 зависят от температуры облучения. Это свойство, а также более эффективный рост скоростей введения центров P2, P3 и E4 по сравнению с E5 при увеличении энергии облучающих частиц указывают на то, что эти центры являются комплексными.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.