"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Деформация лазерного импульса, распространяющегося в n-Ge при гелиевых температурах
Аветисян С.К., Данагулян С.С., Минасян Г.Р.
Выставление онлайн: 20 июля 1990 г.

Теоретически исследовано распространение гауссовских импульсов различной длительности через n-Ge при гелиевых температурах. В уравнении распространения, кроме однофотонного поглощения, связанного с фотоионизацией примесей и внутризонными переходами, учтено также двухфотонное непрямое поглощение. Показано, что имеет место укорочение импульса. Это связано с насыщением поглощения при высоких мощностях. Показано также, что для импульсов с начальной длительностью, меньшей времени фотоионизации и захвата носителей на примесные центры, не только отсутствует укорочение, но и имеет место увеличение длительности. Проведено сравнение результатов с экспериментальными данными.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.