Исследована фотолюминесценция квантово-размерных структур PbSe/PbEuSe с шириной ям PbSe около 15 нм, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках BaF₂, PbSe, CdTe и Si с ориентациями (100), (110) и (111). В спектрах фотолюминесценции наблюдались квантово-размерный и деформационный сдвиги. Определены разности констант деформационных потенциалов D_d=(6.5 ±0.6) и D_u=-(3.7 ±0.3) эВ для PbSe. Наблюдалось вынужденное излучение из структур при температурах до 280 K. Измерена зависимость E_g(x,T) для тройных твердых растворов Pb_1-xEu_xSe и Pb_1-xCa_xSe (x =<sssim 0.04), используемых для создания барьеров в структурах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.