"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Люминесценция i-Ge в условиях одноосного сжатия
Малютенко В.К., Гуга К.Ю., Рыбак А.М.
Выставление онлайн: 20 июля 1990 г.

Исследовано зона-зонное излучение полупроводника в условиях одновременного действия в определенном кристаллографическом направлении электрического поля и одноосного сжатия, вызывающих сильное отклонение концентрации электронно-дырочной плазмы от равновесного значения. Впервые получена отрицательная люминесценция полупроводника в таких условиях, описаны ее полевая и барическая зависимости. Эксперимент проведен на образцах чистого i-Ge с собственной проводимостью ni > Nnрим(NA-ND=1012 см-3) при температуре 343 K.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.