Исследовано зона-зонное излучение полупроводника в условиях одновременного действия в определенном кристаллографическом направлении электрического поля и одноосного сжатия, вызывающих сильное отклонение концентрации электронно-дырочной плазмы от равновесного значения. Впервые получена отрицательная люминесценция полупроводника в таких условиях, описаны ее полевая и барическая зависимости. Эксперимент проведен на образцах чистого i-Ge с собственной проводимостью n_i > N_nрим(N_A-N_D=10¹² см^-3) при температуре 343 K.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.