Созданы и исследованы узкозонные разъединенные" гетеропереходы II типа на основе твердых растворов GaSb-Ga_xIn_1-xAs_1-ySb_y (x=0.11, y=0.21, E_g=0.26 эВ при 300 K), изопериодных с подложкой GaSb. Изучены электрические и фотоэлектрические свойства четырех типов гетероструктур: N-n, P-p, p-n и P-p. Обнаружено омическое поведение P-n-структуры GaSb-GaInAsSb в интервале T=300-4.2 K и изучены выпрямляющие характеристики N-n-, N-p- и P-p -структур. Обсуждаются зонные энергетические диаграммы таких структур. В квазиклассическом приближении оценены параметры квантовых ям и двойного слоя, образующегося в окрестностях N-n⁺-контакта на гетерогранице II типа. Рассмотрен механизм протекания туннельного тока в такой структуре и проведен расчет вольт-амперных характеристик. Получено согласие с экспериментальными данными.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.