"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотопроводимость и генерация фотоэдс в полупроводниковом бикристалле
Дощанов К.М., Соколов В.Д.
Выставление онлайн: 20 июля 1990 г.

На основе диффузионной теории переноса носителей заряда через межкристаллитный барьер рассмотрено влияние фотовозбуждения на ВАХ бикристалла с проводимостью зерен n-типа и с акцепторными пограничными состояниями (ПС). С целью исследования возможности генерации фотоэдс в бикристалле предполагается, что темп фотогенерации электронно-дырочных пар g1 и время жизни дырок tau1 с одной стороны от границы зерен в общем случае отличны от соответствующих значений g2 и tau2 - с другой. Представлены результаты численного расчета ВАХ бикристалла широкозонного полупроводника при различных значениях g1, g2, tau1 и tau2. В освещенном бикристалле с несимметричными свойствами [g1# g2 и (или) tau1 # tau2] кривые ВАХ не проходят через начало координат, что означает генерацию фотоэдс в бикристалле. В случаях g1# 0, g2=0, tau1=tau2 и g1=g2# 0, tau1 # tau2 найдены зависимости от g1 напряжения холостого хода Uхх и плотности тока короткого замыкания jкз (Uxx~ 10 мВ, jкз до 200 мА/см2). Обсуждается возможность использования предлагаемой теории для объяснения АФН эффекта в поликристаллических пленках.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.