Вышедшие номера
Понижение термической стабильности комплексов VAsZnGa в GaAs при нейтронном облучении
Винник Е.В., Глинчук К.Д., Гурошев В.И., Прохорович А.В.
Выставление онлайн: 20 июля 1990 г.

На основе тщательного анализа индуцированных нейтронным воздействием изменений в спектрах люминесценции p-GaAs(Zn) показано, что облучение кристаллов арсенида галлия быстрыми нейтронами приводит к сдвигу реакции термического разрушения комплексов VAsZnGa на изолированные компоненты VAs и ZnGa в сторону более низких температур прогрева. Наблюдаемый эффект объясняется понижением термической стабильности комплексов VAsZnGa вследствие уменьшения энергии связи компонентов комплекса из-за ассоциации последними подвижных радиационных дефектов.