"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эффект запирания электронов в фотопреобразователях при высокой интенсивности освещения
Епифанов М.С., Шипилин А.В., Шленский В.Н.
Выставление онлайн: 20 июля 1990 г.

Рассмотрена одномерная численная модель полупроводникового фотоэлектрического преобразователя с учетом отклонения от приближения квазинейтральности, а также нелинейной рекомбинации неравновесных носителей заряда (ННЗ). Показано, что в n+-p-p+-слое на основе кремния при высоком уровне возбуждения в режиме короткого замыкания (КЗ) область с пониженной концентрацией ННЗ находится не вблизи n+-p-перехода, как при низком уровне возбуждения, а вблизи p-p+-перехода. При некотором промежуточном уровне возбуждения концентрация ННЗ снижается вблизи как n+-p-, так и p-p+-переходов, что может быть использовано для увеличения КПД преобразования за счет повышения коэффициента собирания ННЗ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.