Исследованы фотолюминесцентные свойства полупроводниковых твердых растворов четверных систем (GaSb)_x(HgTe)_1-x (0.75 =< x =< 1), (AlSb)_x(HgTe)_1-x (0.80 =< x =< 1) в области температур 2/ 77 K и магнитных полей до 6 Т. Концентрация носителей исследуемых сплавов при 77 K изменялась в пределах 3· 10¹⁶/ 4· 10¹⁸см^-3. Показано, что во всем температурном интервале при равных составах спектры фотолюминесценции как в магнитном поле, так и в отсутствие его имеют однополосную асимметричную структуру. Исследованы температурное смещение спектров, влияние магнитного поля и уровня накачки на излучательные переходы. Вычислены параметры энергетического спектра сплавов (GaSb)_x(HgTe)_1-x, (AlSb)_x(HgTe)_1-x и их зависимости от состава, температуры и магнитного поля. Приведенные исследования подтверждают перспективность новых полупроводниковых материалов (GaSb)_x(HgTe)_1-x и (AlSb)_x(HgTe)_1-x.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.