"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности излучательной рекомбинации полупроводниковых твердых растворов на основе (GaSb)x(HgTe)1-x, (AlSb)x(HgTe)1-x
Амброс В.П., Бурдиян И.И., Георгицэ Е.И., Постолаки И.Т., Погорлецкий В.М.
Выставление онлайн: 20 июля 1990 г.

Исследованы фотолюминесцентные свойства полупроводниковых твердых растворов четверных систем (GaSb)x(HgTe)1-x (0.75 =< x =< 1), (AlSb)x(HgTe)1-x (0.80 =< x =< 1) в области температур 2/ 77 K и магнитных полей до 6 Т. Концентрация носителей исследуемых сплавов при 77 K изменялась в пределах 3· 1016/ 4· 1018см-3. Показано, что во всем температурном интервале при равных составах спектры фотолюминесценции как в магнитном поле, так и в отсутствие его имеют однополосную асимметричную структуру. Исследованы температурное смещение спектров, влияние магнитного поля и уровня накачки на излучательные переходы. Вычислены параметры энергетического спектра сплавов (GaSb)x(HgTe)1-x, (AlSb)x(HgTe)1-x и их зависимости от состава, температуры и магнитного поля. Приведенные исследования подтверждают перспективность новых полупроводниковых материалов (GaSb)x(HgTe)1-x и (AlSb)x(HgTe)1-x.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.