Найдена зависимость скорости поверхностной туннельной генерации носителей тока в узкозонных полупроводниках от плотности поверхностного заряда, напряжения и концентрации легирующей примеси. Рассчитаны вольт-амперные характеристики локального поверхностного туннельного тока в p-n-переходах. Установлено, что при достаточно большом обратном смещении p-n-перехода поверхностный туннельный ток не зависит от напряжения смещения. Значения напряжения и тока насыщения возрастают с увеличением плотности поверхностного заряда. Развитая теория объясняет результаты экспериментальных исследований поверхностной туннельной генерации носителей и взрывных шумов p-n-переходов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.