"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Определение диффузионной длины неосновных носителей заряда в полупроводнике по динамическим неравновесным вольт-амперным характеристикам МДП структур
Попов В.М.1
1Научно-исследовательский институт микроприборов, НТК "Институт монокристаллов" Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 5 августа 2013 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2014 г.

Предложен метод определения диффузионной длины неосновных носителей заряда Lde в полупроводнике по динамическим неравновесным вольт-амперным характеристикам МДП структур. Метод позволяет исключить влияние объемной генерации в полупроводнике на Lde и снизить температуру измерений. Показана возможность исследования эффективного профиля Lde в приповерхностном слое полупроводника при неоднородном распределении электрически активных дефектов по глубине материала. Исследованы значения Lde в МДП структурах на кремнии, применяемых в технологии интегральных схем. Рассмотрено влияние внутреннего геттерирования дефектов в кремнии и облучения МДП структур низкоэнергетическими электронами (10-30 кэВ) на эффективные профили Lde в приповерхностном слое полупроводника.
  1. A.M. Goodman, L.A. Goodman, H.F. Gossenberger. RCA Rev., 44, 326 (1983)
  2. D.K. Schroder. Meas. Sci. Technol., 12, R16 (2001)
  3. D.E. Ioannou, C.A. Dimitriadis. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-29, 445 (1982)
  4. J.P. Boyeaux, F. Laugier. Rev. Phys. Appliq., Suppl., N 6, 24, C6-111(1989).
  5. R.J. Dery, J.P. Spoonhower. Rev. Sci. Instrum., 55, 1343 (1984)
  6. A. Sanders, M. Kunst. Sol. St. Electron., 34, 1007 (1991)
  7. M.C. Schubert, J. Isenberg, W. Warta. J. Appl. Phys., 94, 4139 (2003)
  8. M. Zerbst. Zeits. Angev. Phys., 22, 30 (1966)
  9. D.K. Schroder. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-19, 1018 (1972)
  10. D.K. Schroder, J.D. Whitfield, C.J. Varker. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-31, 462 (1984)
  11. D.K. Schroder. Sol. St. Electron., 27, 247 (1984)
  12. Z. Radzimsky, E. Gaylord, J. Honeycutt, G.A. Rozgonyi. J. Electrochem. Soc., 135, 2597. (1988)
  13. P. Peykov, M. Aceves. Superficies y Vacio, 17, 29 (2004)
  14. D.K. Schroder. Semiconductor material and device characterization (Hoboken, New Jersey, J. Wiley and Sons, Inc., 2006) p. 434
  15. В.П. Захаров, В.М. Попов. Микроэлектроника, 5, 164 (1976)
  16. V.M. Popov, A.P. Pokanevich, A.I. Panin. Nucl. Instr. Meth. B, 186, 88 (2002)
  17. В.М. Попов. Оптоэлектр. полупр. техника, 20, 12 (1991)
  18. В.М. Попов. Микроэлектроника, 6, 269 (1977)
  19. В.П. Захаров, В.М. Попов. Микроэлектроника, 10, 280 (1981)
  20. K.S. Rabbani, D.R. Lamb. Sol. St. Electron., 21, 1171 (1978)
  21. J.G. Simmons. Sol. St. Electron., 19, 153 (1976)
  22. J. Batista, A. Mandelis, D. Schaughnessy. Appl. Phys. Lett., 82, 4077 (2003)
  23. K. Kanaya, S. Okayama. J. Phys. D: Appl. Phys., 5, 43 (1972)
  24. P.C. Phua, K.S. Ong. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-49, 2036 (2002).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.