"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования метаморфных наногетероструктур In0.38Al0.62As/In0.38Ga0.62As/GaAs
Галиев Г.Б.1, Васильевский И.С.2, Климов Е.А.1, Клочков А.Н.1, Лаврухин Д.В.1, Пушкарев С.С.1, Мальцев П.П.1
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 17 сентября 2013 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2014 г.

Представлены результаты исследования морфологии поверхности, электрофизических параметров и фотолюминесцентных свойств метаморфных наногетероструктур In0.38Al0.62As/In0.38Ga0.62As/In0.38Al0.62As на подложках GaAs. На поверхности некоторых гетероструктур обнаружены дефекты микронных размеров, ориентированные вдоль направлений [011] и [0 11] и представляющие собой области выхода на поверхность дефектов упаковки. Холловская подвижность и оптические свойства образцов коррелируют с поверхностной плотностью дефектов. В спектрах фотолюминесценции обнаружены четыре полосы излучения, соответствующие рекомбинации носителей заряда в квантовой яме (1.0-1.2 эВ) InGaAs, в метаморфном буфере InAlAs (1.8-1.9 эВ), в сверхрешетке GaAs/AlGaAs на границе буфер/подложка и в подложке GaAs. На основе измеренных спектров с помощью самосогласованного расчета зонной диаграммы структур были определены составы твердых растворов, составляющих исследованные гетероструктуры, и определены технологические вариации состава в серии гетероструктур.
  1. D.-H. Kim, B. Brar, J.A. del Alamo. IEEE International Electron Device Meeting: Conference Publications (Washington DC, 2011) p. 13.6.1
  2. W.E. Hoke, T,D. Kennedy, A. Toraby, C.S. Whelan et al. J. Cryst. Growth, 251, 804 (2003)
  3. S. Bollaert, Y. Cordier, M. Zaknoune et al. Sol. St. Electron., 44, 1021 (2000)
  4. M.-S. Son, B.-H. Lee, M.-R. Kim, S.-D. Kim et al. J. Korean Phys. Soc., 44 (2), 408 (2004)
  5. W.E. Hoke, T.D. Kennedy, A. Toraby, C.S. Whelan, P.F. Marsh, R.E. Leoni, C. Xu, K.C. Hsien. J. Cryst. Growth, 251, 827 (2003)
  6. J.H. Kim, H.-S. Yoon, J.-H. Lee et al. Sol. St. Electron., 46, 69 (2002)
  7. S.-J. Yu, W.-C. Hsu, Y.-J. Chen, C.-L. Wu. Sol. St. Electron., 50, 291 (2006)
  8. D. Lee, M.S. Park, Z. Tang, H. Luo, R. Beresford et al. J. Appl. Phys., 101, 063 523 (2007)
  9. S. Mendach, C.M. Hu, Ch. Heyn et al. Physica E, 13, 1204 (2002)
  10. Y. Jeong, H. Choi, T. Suzuki. J. Cryst. Growth, 301-302, 235 (2007)
  11. J.M. Gilperez, J.L. Sanchez Rojas, E. Munoz et al. J. Appl. Phys., 76, 5931 (1994)
  12. S.K. Brierley, A. Torabi, P.S. Lyman. J. Appl. Phys., 85, 914 (1999)
  13. D.Y. Lin, M.C. Wu, H. J. Lin, J.S. Wu. Physica E, 40, 1757 (2008)
  14. G. L. Zhou, W. Liu, M.E. Lin. J. Cryst. Growth, 227-228, 218 (2001)
  15. H. Brugger, H. Mussig, C. Wolk et al. Appl. Phys. Lett., 59, 2739 (1991)
  16. A. Dodabalapur, V.P. Kesan, D.R. Hinson et al. Appl. Phys. Lett., 54, 1675 (1989)
  17. Н.Г. Яременко, Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, М.В. Карачевцева, В.А. Страхов. РЭ, 58 (3), 276 (2013)
  18. X.Z. Shang, J. Wu, W.C. Wang, W.X. Wang, Q. Huang, J.M. Zhou. Sol. St. Electron., 51, 85 (2007)
  19. T. Mishima, M. Kudo, J. Kasai, K. Higuchi, T. Nakamura. J. Cryst. Growth, 201/202, 271 (1999)
  20. X.Z. Shang, S.D. Wu, C. Liu, W.X. Wang, L.W. Guo, Q. Huang, J.M. Zhou. J. Phys. D: Appl. Phys., 39, 1800 (2006)
  21. H. Choi, J. Cho, M. Jeon. J. Korean Phys. Soc., 54 (2), 643 (2009)
  22. K.E. Lee, E.A. Fitzgerald. J. Cryst. Growth, 312, 250 (2010)
  23. C.-H. Chan, C.-H. Ho, M.-K. Chen, Y.-S. Lin et al. Thin Sol. Films, 529, 217 (2013)
  24. J.S. Wu, C.C. Hung, C.T. Lu, D.Y. Lin. Physica E, 42, 1212, (2010)
  25. Y. Song, S. Wang, X. Cao, Z. Lai, M. Sadeghi. J. Cryst. Growth, 323, 21 (2011)
  26. G.B. Galiev, I.S. Vasil'evskii, S.S. Pushkarev, E.A. Klimov, R.M. Imamov, P.A. Buffat, B. Dwir, E.I. Suvorova. J. Cryst. Growth, 366, 55 (2013)
  27. H. Choi, Y. Jeong, J. Cho, M.H. Jeon. J. Cryst. Growth, 311, 1091 (2009)
  28. F. Romanato, E. Napolitani, A. Carnera, A.V. Drigo, L. Lazzarini et al. J. Appl. Phys., 86, 4748 (1999)
  29. Y. Cordier, P. Lorenzini, J.-V. Chauveau, D. Ferre, Y. Androussi, J. Di Persio, D. Vignaud, J.-L. Codron. J. Cryst. Growth, 251, 822 (2003)
  30. M. Haupt, K. Kohler, P. Ganser, S. Emminger, S. Muller. Appl. Phys. Lett., 69, 412 (1996)
  31. H.-L. Gao, Y.-P. Zeng, B.-Q. Wang, Z.-P. Zhu, Z.-G. Wang. Chineese Physics B, 17, 1119 (2008)
  32. Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, А.А. Черечукин. ФТП, 40 (12), 1479 (2006)
  33. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
  34. S. Adachi. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors (John Wiley \& Sons, 2009) p. 157
  35. В.Г. Мокеров, Ю.В. Федоров, А.В. Гук, Н.Г. Яременко, В.А. Страхов. ДАН, 362 (2), 194 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.