Вышедшие номера
Влияние монооксида кремния на процесс формирования кремниевых нанокластеров (моделирование методом Монте-Карло)
Михантьев Е.А.1, Неизвестный И.Г.1, Усенков С.В.1, Шварц Н.Л.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 5 ноября 2013 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2014 г.

Исследовалось формирование нанокластеров кремния (Si-НК) в процессе отжига слоев состава SiOx (1≤ x<2) с использованием решеточной модели Монте-Карло. Моделирование проводилось с учeтом дополнительного механизма переноса кремния за счeт диффузии частиц монооксида кремния (SiO). Показано, что наличие SiO в системе приводит к увеличению размера критического зародыша Si-НК и может приводить к увеличению скорости роста нанокластеров. Формирование Si-НК при отжиге слоeв SiOx происходило только для состава с x<1.8. При отжиге слоeв SiOx на кремниевой подложке наблюдалось появление области обеднения нанокластерами прилегающего к подложке слоя. Это даeт возможность получения в матрице SiO2 Si-НК , отстоящих на определенном расстоянии от границы раздела Si/SiO2.