Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2023
- 1
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние монооксида кремния на процесс формирования кремниевых нанокластеров (моделирование методом Монте-Карло)

Михантьев Е.А.¹, Неизвестный И.Г.¹, Усенков С.В.¹, Шварц Н.Л.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 5 ноября 2013 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовалось формирование нанокластеров кремния (Si-НК) в процессе отжига слоев состава SiO_x (1≤ x<2) с использованием решеточной модели Монте-Карло. Моделирование проводилось с учeтом дополнительного механизма переноса кремния за счeт диффузии частиц монооксида кремния (SiO). Показано, что наличие SiO в системе приводит к увеличению размера критического зародыша Si-НК и может приводить к увеличению скорости роста нанокластеров. Формирование Si-НК при отжиге слоeв SiO_x происходило только для состава с x<1.8. При отжиге слоeв SiO_x на кремниевой подложке наблюдалось появление области обеднения нанокластерами прилегающего к подложке слоя. Это даeт возможность получения в матрице SiO₂ Si-НК , отстоящих на определенном расстоянии от границы раздела Si/SiO₂.

L. Pavesi, L. Dal Negro, C. Mazzoleni, G. Franzo, F. Priolo. Nature, 408, 440 (2000)
Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures, ed. by N. Koshida (Springer, 2009)
Silicon Nanocrystals: Fundamentals, Synthesis and Applications, ed. by L. Pavesi, R. Turan (Wiley-VCH Verlag GmbH \& Co. KGaA, 2010)
L. Khriachtchev, M. Rasanen, S. Novikov, J. Sinkkonen. Appl. Phys. Lett., 79 (9), 1249 (2001)
C.Y. Ng, T.P. Chen, M.S. Tse, V.S.W. Lim, S. Fung, A.A. Tseng. Appl. Phys. Lett., 86, 152 110 (2005)
S.D. Sarma, R. de Sousa, X. Hu, B. Koiller. Sol. St. Commun., 133 (11), 737 (2005)
V. Beyer, J. von Borany, K.-H. Heinig. J. Appl. Phys., 101, 053 516 (2007)
Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, M.-O. Ruault, А.К. Гутаковский, К.С. Журавлев, O. Kaitasov, H. Bernas. ФТП, 34 (8), 1004 (2000)
S. Cheylan, R.G. Elliman, K. Gaff, A. Durandet. Appl. Phys. Lett., 78 (12), 1670 (2001)
N. Daldosso, G. Das, S. Larcheri, G. Mariotto, G. Dalba, L. Pavesi, A. Irrera, F. Priolo, F. Iacona, F. Rocca. J. Appl. Phys., 101, 113 510 (2007)
А.Н. Карпов, Д.В. Марин, В.А. Володин, J. Jedrzejewski, Г.А. Качурин, E. Savir, Н.Л. Шварц, З.Ш. Яновицкая, I. Balberg, Y. Goldstein. ФТП, 42 (6), 753 (2008)
J. Wang, X.F. Wang, Q. Li, A. Hryciw, A. Meldrum. Phil. Mag., 87 (1), 11 (2007)
D. Comedi, O.H.Y. Zalloum, E.A. Irving, J. Wojcik, T. Roschuk, M.J. Flynn, P. Mascher. J. Appl. Phys., 99, 023 518 (2006)
F. Iacona, G. Franzo, C. Spinella. J. Appl. Phys., 87, 1295 (2000)
L.A. Nesbit. Appl. Phys. Lett., 46 (1), 38 (1985)
D. Tsoukalas, C. Tsamis, P. Normand. J. Appl. Phys., 89 (12), 7809 (2001)
S. Fukatsu, T. Takahashi, K.M. Itoh, M. Uematsu, A. Fujiwara, H. Kageshima, Y. Takahashi, K. Shiraishi, U. Gosele. Appl. Phys. Lett., 83 (19), 3897 (2003)
T. Takahashi, S. Fukatsu, K.M. Itoh, M. Uematsu, A. Fujiwara, H. Kageshima, Y. Takahashi, K. Shiraishi. J. Appl. Phys., 93 (6), 3674 (2003)
K. Furukawa Y. Liu, H. Nakashima, D. Gao, K. Uchino, K. Muraoka, H. Tsusuki. Appl. Phys. Lett., 72 (6), 725 (1998)
H. Kageshima, K. Shiraishi. Phys. Rev. Lett., 81 (26), 5936 (1998)
T.A. Kirichenko, D. Yu, S.K. Banerjee, G.S. Hwang. Phys. Rev. B, 72, 035 345 (2005)
A. Korkin, J.C. Greer, G. Bersuker, V.V. Karasiev, R.J. Bartlett. Phys. Rev. B, 73, 165 312 (2006)
A. Bongiorno, A. Pasquarello. Phys. Rev. Lett., 88, 125 901 (2002)
R.Q. Zhang, M.W. Zhao, S.T. Lee. Phys. Rev. Lett., 93, 095 503 (2004)
T. Muller, K.-H. Heinig, W. Moller. Mater. Sci. Engin. B, 101, 49 (2003)
D. Yu, S. Lee, G.S. Hwang. J. Appl. Phys., 102, 084 309 (2007)
А.В. Зверев, И.Г. Неизвестный, Н.Л. Шварц, З.Ш. Яновицкая. Российские нанотехнологии, 3 (5-6), 175 (2008)
Е.А. Михантьев, И.Г. Неизвестный, С.В. Усенков, Н.Л. Шварц. Автометрия, 47 (5), 88 (2011)
А.В. Зверев, К.Ю. Зинченко, Н.Л. Шварц, З.Ш. Яновицкая. Российские нанотехнологии, 4 (3-4), 85 (2009)
Г.Я. Красников, Н.А. Зайцев, И.В. Матюшкин. ФТП, 37 (1), 44 (2003)
В.М. Бабич, Н.И. Блецкан, Е.Ф. Венгер. Кислород в монокристаллах кремния (Киев, Интерпресс ЛТД, 1997)
D. Bahloul-Hourlier, P. Perrot. J. Phase Equil. Diff., 28 (2), 150 (2007)
F.T. Ferguson, J.A. Nuth III. J. Chem. Eng. Data, 53, 2824 (2008).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель