"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Анализ электростатического взаимодействия зарядов в множественных квантовых ямах InGaAs/GaAs методами спектроскопии адмиттанса
Зубков В.И.1, Яковлев И.Н.1, Литвинов В.Г.2, Ермачихин А.В.2, Кучерова О.В.1, Черкасова В.Н.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия
Поступила в редакцию: 21 ноября 2013 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2014 г.

Методами адмиттансной спектроскопии и с помощью численных самосогласованных расчетов исследован эффект электростатического взаимодействия зарядов в множественных квантовых ямах легированной гетероструктуры. Детально изучались образцы, содержащие 3 квантовые ямы InGaAs/GaAs, толщиной 7 нм каждая, разделенные барьерами по 150 нм. Содержание InAs в ямах составляло 22, 16 и 11.5%. Экспериментально и моделированием показано, что эффект относительного обеднения носителями заряда средней квантовой ямы возникает при смыкании локальных областей объемного заряда вокруг квантовых ям и сопровождается "выталкиванием" вверх потенциала средней ямы. Анализируются количественные характеристики этого эффекта в зависимости от температуры, толщины барьеров и концентрации в них легирующей примеси.
  1. F. Bugge, U. Zeimer, M. Sato, M. Weyers, G. Trankle. J. Cryst. Growth, 183, 511 (1998)
  2. V.I. Zubkov, M.A. Melnik, A.V. Solomonov, E.O. Tsvelev, F. Bugge, M. Weyers, G. Trankle. Phys. Rev. B, 70 (7), 075 312 (2004)
  3. В.И. Зубков. Диагностика полупроводниковых наногетероструктур методами спектроскопии адмиттанса (СПб., Элмор, 2007)
  4. A.A. Barybin, E.J.P. Santos. Semicond. Sci. Technol., 22, 1225 (2007)
  5. В.И. Зубков. ФТП, 41, 331 (2007)
  6. А.Н. Петровская, В.И. Зубков. ФТП, 43, 1368 (2009)
  7. О.В. Кучерова, В.И. Зубков, Е.О. Цвелев, И.Н. Яковлев, А.В. Соломонов. Завод. лаб., 76 (3), 24 (2010)
  8. Л.С. Берман. Емкостные методы исследования полупроводников (Л., Наука, 1972)
  9. F. Stern, S. Das Sarma. Phys. Rev. B, 30 (2), 840 (1984)
  10. А.Я. Шик, Л.Г. Бакуева, С.Ф. Мусихин, С.А. Рыков. Физика низкоразмерных систем (СПб., Наука, 2001)
  11. В.И. Зубков. ФТП, 40, 1236 (2006)
  12. P. Blood, J.W. Orton. The electrical characterization of semiconductors: majority carriers and electron states (London, Academic Press, 1992)
  13. Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.