Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Транспортные свойства эпитаксиального графена, сформированного на поверхности полупроводника

Алисултанов З.З.^1,2,3, Мейланов Р.П.^3,4

¹Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия Amirkhanov Institute of Physics, Dagestan Scientific Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

Amirkhanov Institute of Physics, Dagestan Scientific Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

²Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия Prokhorov General Physics Institute of the Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Prokhorov General Physics Institute of the Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

³Дагестанский государственный университет, Махачкала, Россия Dagestan State University, Makhachkala, Dagestan Republic, Russia

⁴Институт проблем геотермии Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия

Поступила в редакцию: 24 сентября 2013 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2014 г.

PDF версия

Рассмотрены транспортные свойства эпитаксиального графена, сформированного на поверхности полупроводниковой подложки. Используется подход, основанный на модельном гамильтониане Андерсона в приближении Халдейна-Андерсона. Получено аналитическое выражение для плотности состояний эпитаксиального графена. Исследовано поведение плотности состояний эпитаксиального графена при различных значениях параметров задачи. Исследована вещественная часть динамической проводимости эпитаксиального графена, рассмотрены предельные значения проводимости, а также зависимости последней от химического потенциала и температуры. Показано, что вблизи краев щели полупроводника проводимость эпитаксиального графена меняется скачкообразно. Когда взаимодействие между графеном и подложкой равно нулю, статическая проводимость эпитаксиального графена принимает универсальное значение 2e²/pih. Исследована термоэдс эпитаксиального графена и показано, что вблизи краев запрещенной щели полупроводника термоэдс аномально растет, что связано по аналогии с электронным топологическим переходом в металлах с появлением нового класса квазичастиц с сильно зависящим от энергии временем жизни (новый канал рассеяния). Рассмотренные фундаментальные вопросы имеют решающее значение при исследовании оптических, магнето-оптических, термоэлектрических и термомагнитных свойств эпитаксиального графена. Полученные результаты представляют большой интерес при рассмотрении эпитаксиального графена, как перспективного материала для сверхвысокочастотной техники.

K.S. Novoselov, A.K. Geim, S.V. Morozov, D. Jiang, M.I. Katsnelson, I.V. Grigorieva, S.V. Dubonos, A.A. Firsov. Nature, 438, 197 (2005)
A.K. Geim, K.S. Novoselov. Nature Materials, 6, 183 (2007)
P. Avouris, Z. Chen, V. Perebeinos. Nature Nanotech., 2, 605 (2007)
F. Bonaccorso, Z. Sun, T. Hasan, A.C. Ferrari, Nature Photon., 4, 611 (2010)
Л.А. Фальковский. УФН, 178, 923 (2008); ЖЭТФ, 142, 1309 (2012)
Yu.Yu. Kiselev, L.E. Golub. Phys. Rev. B, 84, 235 440 (2011)
G. Konstantatos, M. Badioli, L. Gaudreau, J. Osmond, M. Bernechea, F.P. Garcia de Arquer, F. Gatti, F.H.L. Koppens. Nature Nanotech., 7, 363 (2012)
А.А Варламов, А.В. Кавокин, И.А. Лукьянчук, С.Г. Шарапов. УФН, 182, 1229 (2012)
S.P. Koenig, L. Wang, J. Pellegrino, J.S. Bunch. Nature Nanotech., 7, 728 (2012)
D. Cohen-Tanugi, J.C. Grossman. Nano Lett., 12 (7), 3602 (2012)
E.G. Mishchenko. Phys. Rev. Lett., 98, 216 801 (2007)
C. Berger, Zh. Song, T. Li, Xuebin Li, A.Y. Ogbazghi, R. Feng, Z. Dai, A.N. Marchenkov, E.H. Conrad, Ph.N. First, W.A. de Heer. J. Phys. Chem. B, 108, 19 912 (2004)
W. Lua, W.C. Mitchel, C.A. Thorntona, W.E. Collinsa, G.R. Landis, S.R. Smith. J. Electrochem. Soc., 150, G177 (2003)
G. Giovannetti, P.A. Khomyakov, G. Brocks, V.M. Karpan, J. van den Brink, P.J. Kelly. Phys. Rev. Lett., 101, 026 803 (2008)
P.A. Khomyakov, G. Giovannetti, P.C. Rusu, G. Brocks, J. van den Brink, P.J. Kelly. Phys. Rev. B, 79, 195 425 (2009)
P.A. Khomyakov, A.A. Starikov, G. Brocks, P.J. Kelly. Phys. Rev. B, 82, 115 437 (2010)
M. Vanin, J.J. Mortensen, A.K. Kelkkanen, J.M. Garcia-Lastra, K.S. Thygesen, K.W. Jacobsen. Phys. Rev. B, 81, 081 408 (2010)
C. Riedl, C. Coletti, U. Starke. J. Phys. D: Appl. Phys., 43, 374 009 (2010)
F.D.M. Haldane, P.W. Anderson. Phys. Rev. B, 13, 2553 (1976)
С.Ю. Давыдов. Письма в ЖТФ, 37, 64 (2011); Письма ЖТФ, 39 (2), 7 (2013)
С.Ю. Давыдов. ФТП, 45, 629 (2011); ФТП, 45, 1102 (2011)
С.Ю. Давыдов. ФТП, 47 (1), 97 (2013)
З.З. Алисултанов, Р.П. Мейланов. ФТТ, 54, 1398 (2012)
З.З. Алисултанов, Р.П. Мейланов. ФММ, 113, 1504 (2012)
З.З. Алисултанов, Р.П. Мейланов. ТМФ, 172, 455 (2012)
З.З. Алисултанов, С.В. Гарнов, Р.П. Мейланов. ФТТ, 54, 2237 (2012)
З.З. Алисултанов. Письма ЖТФ, 39 (4), 23 (2013)
З.З. Алисултанов, Р.П. Мейланов, А.К. Нухов, Г.М. Мусаев, Э.И. Идаятов. Письма ЖТФ, 38 (12), 1 (2012)
З.З. Алисултанов. ФТП, 47 (6), 805 (2013); Прикл. физика, 6, 23 (2012)
Z.Z. Alisultanov. Low Temperature Phys., 39 (7), 767 (2013)
З.З. Алисултанов. Письма ЖТФ, 39 (15), 8 (2013)
З.З. Алисултанов. Письма ЖТФ, 39 (13), 32 (2013)
С.Ю. Давыдов. ФТП, 41 (6), 718 (2007)
A. Mattausch, O. Pankratov. Phys. Rev. Lett., 99, 076 802 (2007)
H. Na, H. Kim, K. Adachi, N. Kiritani, S. Tanimoto, H. Okushi, K. Arai. J. Electron. Mater., 33, 89 (2004)
18. У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел (М., Мир, 1983) т. 1
V.P. Gusynin, S.G. Sharapov. Phys. Rev. Lett., 95, 146 801 (2005)
V.P. Gusynin, S.G. Sharapov, J.P. Carbotte. Phys. Rev. Lett., 96, 256 802 (2006)
N.M.R. Peres, F. Guinea, A.H. Castro Neto. Phys. Rev. B, 73, 125 411 (2006)
Yu.V. Skrypnyk, V.M. Loktev. Phys. Rev. B, 73, 241 402 R (2006)
Yu.V. Skrypnyk, V.M. Loktev. Phys. Rev. B, 75, 245 401 (2007)
V.M. Pereira, J.M.B. Lopes dos Santos, A.H. Castro Neto. Phys. Rev. B, 77, 115 109 (2008)
P.A. Lee. Phys. Rev. Lett., 71, 1887 (1993)
N.H. Shon, T. Ando. J. Phys. Soc. Jpn., 67, 2421 (1998)
K. Ziegler. Phys. Rev. Lett., 97, 266 802 (2006)
M.I. Katsnelson. Eur. Phys. J. B, 51, 157 (2006)
S.G. Sharapov, A.A. Varlamov. Phys. Rev. B, 86, 035 430 (2012)
N.F. Mott, H. Jones. The Theory of the Properties of Metals and Alloys. 1st edn. (Oxford: Clarendon Press, 1936)
A.A. Varlamov, V.S. Egorov, A.V. Pantsulaya. Adv. Phys., 38, 469 (1989)
Ya.M. Blanter, M.I Kaganov, A.V. Pantsulaya, A.A. Valamov. Phys. Rep., 245, 159 (1994).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель