"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние нейтронного облучения на структуру кремниевых диффузионных p-n-переходов ограничителей напряжения
Рахматов А.З.1
1OOO "FOTON", Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 17 июля 2013 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2014 г.

-1 Проанализировано изменение вольт-фарадных характеристик p-n-переходов с линейным или близким к нему распределением нескомпенсированного заряда под воздействием нейтронного облучения. Подтверждено, что в результате такого воздействия вблизи p-n-перехода образуется область с собственной проводимостью. Получены эмпирические формулы, описывающие зависимость размеров этой области, а также эффективного градиента концентрации нескомпенсированного заряда от флюенса нейтронов в широком диапазоне начальных значений (до воздействия нейтронов) градиента концентраций (от 3·1018 до 2·1020 см-4) и исходных значений удельного сопротивления кремния (от 0.3 до 2 Ом·см).
  1. В.М. Кулаков, Е.А. Ладыгин, В.И. Шаховцов. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники (М., Сов. радио, 1980) с. 136
  2. M. Buchler. Proc. IEEE, 56 (10), 111 (1968)
  3. Ф.П. Коршунов, Г.В. Гатальский, Г.М. Иванов. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах (Минск, Наука и техника, 1978) с. 67,
  4. В.С. Вавилов, Н.А. Ухин. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах (М., Атомиздат, 1969) c. 245
  5. G. Martin, M. Buchler. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-17, 391 (1970)
  6. Н.Н. Сирота, В.А. Бржезинский, В.Г. Дюков, Г.В. Коршунов. Изв. АН БССР. Сер. физ.-мат. наук, N 4, 106 (1966)
  7. Т.С. Емельянова, Е.А. Кожухова, В.И. Шаховцов. В кн. Физические процессы в кристаллах с дефектами (Киев, ИФ АН УССР, 1972) c. 47
  8. Л.И. Кузовкина, В.И. Дедесов, Е.В. Лапшина. ФТП, 9, 1168 (1975)
  9. А.З. Рахматов, О.А. Абдулхаев, А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова. ФТП, 47 (3), 364 (2013)
  10. Е.З. Мазель, Ф.П. Пресс. Планарная технология кремниевых приборов (M., Энергия, М., 1974)
  11. Л. Россадо. Физическая электроника и микроэлектроника (M., Высш. школа, 1991) с. 333
  12. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) кн. 1, с. 86
  13. C. Opdorp. Solid-State Electron., 11, 397 (1968)
  14. G.C. Messenger. In: Report Intern. Symp. Radiation Effects in Semiconductors (Toulouse, 1967)
  15. М.Ю. Ташметов, А.З. Рахматов, Л.С. Сандлер, Н.Б. Исматов. Препринт ИЯФ АН РУз, Р-9-700 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.