Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

О статистически распределенных неоднородностях по данным о поперечном магнетосопротивлении при атмосферном и всестороннем давлении в узкозонных полупроводниках n-InSb и n-CdSnAs₂

Гаджиалиев М.М.¹, Даунов М.И.¹, Камилов И.К.¹, Мусаев А.М.¹

¹Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия Amirkhanov Institute of Physics, Dagestan Scientific Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

Amirkhanov Institute of Physics, Dagestan Scientific Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

Поступила в редакцию: 30 мая 2013 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведен анализ экспериментальных барических при всестороннем давлении до 12 кбар и магнитополевых до 15 кЭ зависимостей удельного сопротивления, коэффициента Холла и поперечного магнетосопротивления при 77 K в макроскопически однородных объемных сильно легированных и сильно вырожденных кристаллах n-InSb и n-CdSnAs₂. Установлено, что поперечное магнетосопротивление в исследованных полупроводниках как в области слабых, так и в области классически сильных магнитных полей определяется статистически распределенными неоднородностями.

I.K. Kamilov, M.I. Daunov, R.K. Arslanov, D.M. Daunova, S.F. Gabibov. J. Phys. Condens. Matter, 15, 2335 (2003)
И.К. Камилов, М.И. Даунов, А.Ю. Моллаев, С.Ф. Габибов. ФТТ, 55 (6), 1152 (2013)
О. Маделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп (М., Мир, 1967)
S.A. Bulgadaev, F.V. Kusmartsev. Phys. Lett. A, 342 (1--2), 188 (2005)
S.A. Bulgadaev. Phys. Lett. A, 344 (2--4), 280 (2005)
Е.С. Ицкевич. ПТЭ, 4, 148 (1963)
Е.С. Ицкевич, А.Н. Вороновский, А.Ф. Гаврилов, В.А. Сухопаров. ПТЭ, 6, 161 (1966)
E.O. Kane. J. Phys. Chem. Sol., 1, 249 (1957)
Б.М. Аскеров. Кинетические эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1970)
C. Herring. J. Appl. Phys., 31, 107 (1960)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель