"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние монооксида кремния на процесс формирование кремниевых нанокластеров (моделирование методом Монте-Карло)
Михантьев Е.А.1, Неизвестный И.Г.1, Усенков С.В.1, Шварц Н.Л.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 5 ноября 2013 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2014 г.
Исследовалось формирование нанокластеров кремния (Si-НК) в процессе отжига слоев состава SiOx (1=<q x<2) с использованием решеточной Монте-Карло модели. Моделирование проводилось с учeтом дополнительного механизма переноса кремния за счeт диффузии частиц монооксида кремния (SiO). Показано, что наличие SiO в системе приводит к увеличению размера критического зародыша Si-НК и может приводить к увеличению скорости роста нанокластеров. Формирование Si-НК при отжиге слоeв SiOx происходило только для состава x<1.8. При отжиге слоeв SiOx на кремниевой подложке наблюдалось появление области обеднения нанокластерами прилегающего к подложке слоя. Это даeт возможность получения в матрице SiO2 Si-НК , отстоящих на определенном расстоянии от границы раздела Si/SiO2.
  1. L. Pavesi, L.D. Negro, C. Mazzoleni, G. Franzo, F. Priolo. Nature, 408, 440 (2000)
  2. Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures, ed. by N. Koshida (Springer, 2009)
  3. Silicon Nanocrystals: Fundamentals, Synthesis and Applications, ed. by L. Pavesi, R. Turan. (Wiley-VCH Verlag GmbH \& Co. KGaA, 2010)
  4. L. Khriachtchev, M. Rasanen, S. Novikov, J. Sinkkonen. Appl. Phys. Lett., 79 (9), 1249 (2001)
  5. C.Y. Ng, T.P. Chen, M.S. Tse, V.S.W. Lim, S. Fung, A.A. Tseng. Appl. Phys. Lett., 86, 152 110 (2005)
  6. S.D. Sarma, R. de Sousa, X. Hu, B. Koiller. Sol. St. Commun., 133 (11), 737 (2005)
  7. V. Beyer, J. von Borany, K.-H. Heinig. J. Appl. Phys., 101, 053 516 (2007)
  8. Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, M.-O. Ruault, А.К. Гутаковский, К.С. Журавлев, O. Kaitasov, H. Bernas. ФТП, 34 (8), 1004 (2000)
  9. S. Cheylan, R.G. Elliman, K. Gaff, A. Durandet. Appl. Phys. Lett., 78 (12), 1670 (2001)
  10. N. Daldosso, G. Das, S. Larcheri, G. Mariotto, G. Dalba, L. Pavesi, A. Irrera, F. Priolo, F. Iacona, F. Rocca. J. Appl. Phys., 101, 113 510 (2007)
  11. А.Н. Карпов, Д.В. Марин, В.А. Володин, J. Jedrzejewski, Г.А. Качурин, E. Savir, Н.Л. Шварц, З.Ш. Яновицкая, I. Balberg, Y. Goldstein. ФТП, 42 (6), 753 (2008)
  12. J. Wang, X.F. Wang, Q. Li, A. Hryciw, A. Meldrum. Phil. Mag., 87 (1), 11 (2007)
  13. D. Comedi, O.H.Y. Zalloum, E.A. Irving, J. Wojcik, T. Roschuk, M.J. Flynn, P. Mascher. J. Appl. Phys., 99, 023 518 (2006)
  14. F. Iacona, G. Franzo, C. Spinella. J. Appl. Phys, 87, 1295 (2000)
  15. L.A. Nesbit. Appl. Phys. Lett., 46 (1), 38 (1985)
  16. D. Tsoukalas, C. Tsamis, P. Normand. J. Appl. Phys., 89 (12), 7809 (2001)
  17. S. Fukatsu, T. Takahashi, K.M. Itoh, M. Uematsu, A. Fujiwara, H. Kageshima, Y. Takahashi, K. Shiraishi, U. Gosele. Appl. Phys. Lett., 83 (19), 3897 (2003)
  18. T. Takahashi, S. Fukatsu, K.M. Itoh, M. Uematsu, A. Fujiwara, H. Kageshima, Y. Takahashi, K. Shiraishi. J. Appl. Phys., 93 (6), 3674 (2003)
  19. K. Furukawa Y. Liu, H. Nakashima, D. Gao, K. Uchino, K. Muraoka, H. Tsusuki. Appl. Phys. Lett., 72 (6), 725 (1998)
  20. H. Kageshima, K. Shiraishi. Phys. Rev. Lett., 81 (26), 5936 (1998)
  21. T.A. Kirichenko, D. Yu, S.K. Banerjee, G.S. Hwang. Phys. Rev. B., 72, 035 345 (2005)
  22. A. Korkin, J.C. Greer, G. Bersuker, V.V. Karasiev, R.J. Bartlett. Phys. Rev. B, 73, 165 312 (2006)
  23. A. Bongiorno, A. Pasquarello. Phys. Rev. Lett., 88, 125 901 (2002)
  24. R.Q. Zhang, M.W. Zhao, S.T. Lee. Phys. Rev. Lett., 93, 095 503 (2004)
  25. T. Muller, K.-H. Heinig, W. Moller. Mater. Sci. Engin. B, 101, 49 (2003)
  26. D. Yu, S. Lee, G.S. Hwang. J. App. Phys., 102, 084 309 (2007)
  27. А.В. Зверев, И.Г. Неизвестный, Н.Л. Шварц, З.Ш. Яновицкая. Российские нанотехнологии, 3 (5-6), 175 (2008)
  28. Е.А. Михантьев, И.Г. Неизвестный, С.В. Усенков, Н.Л. Шварц. Автометрия, 47 (5), 88 (2011)
  29. А.В. Зверев, К.Ю. Зинченко, Н.Л. Шварц, З.Ш. Яновицкая. Российские нанотехнологии, 4 (3-4), 85 (2009)
  30. Г.Я. Красников, Н.А. Зайцев, И.В. Матюшкин. ФТП, 37 (1), 44 (2003)
  31. В.М. Бабич, Н.И. Блецкан, Е.Ф. Венгер. Кислород в монокристаллах кремния (Киев, Интерпресс ЛТД, 1997)
  32. D. Bahloul-Hourlier, P. Perrot. J. Phase Equil. Diff., 28 (2), 150 (2007)
  33. F.T. Ferguson, J.A. Nuth III. J. Chem. Eng. Data., 53, 2824 (2008).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.