"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Время жизни неравновесных дырок в диодах на основе SiC
Наумов А.В., Санкин В.И.
Выставление онлайн: 20 мая 1989 г.

Методом переключения из прямого направления в обратное в p+-n- и p+-n-n+-структурах на основе 6H-SiC проведены измерения времени жизни дырок taup. Исследовались два типа диодов, различающихся базовым материалом n-типа: 1) промышленные монокристаллы с ND-NA~2·1018 см-3, 2) эпитаксиальные пленки с ND-NA~2·1017 см-3. Между этими диодами выявлены заметные различия в величине taup и его температурной зависимости. Результаты измерений интерпретируются в рамках теории каскадного захвата при наличии электрического поля, которое в данном случае, вероятно, обусловлено внутренними деформациями. Реальность такого предположения подтверждается весьма небольшой величиной необходимых деформаций Si=3· 10-8/3·10-7 для создания полей порядка 103/104 В/см, возникающих, по-видимому, при эпитаксиальном наращивании p+(Аl)-слоя.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.